[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610146132.4 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN106611792B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 金东权;徐康一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括鳍型图案，鳍型图案包括在鳍型图案的上部中的第一和第二氧化物区。鳍型图案在第一方向上延伸。第一纳米线在第一方向上延伸并与鳍型图案间隔开。栅电极围绕第一纳米线的外围并在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅电极设置在鳍型图案的一区域上。该区域位于第一氧化物区和第二氧化物区之间。第一源/漏极设置在第一氧化物区上并与第一纳米线的端部分连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：鳍型图案，包括在所述鳍型图案的上部中的第一氧化物区和第二氧化物区，其中所述鳍型图案在第一方向上延伸；第一纳米线，在所述第一方向上延伸并与所述鳍型图案间隔开；栅电极，围绕所述第一纳米线并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸，其中所述栅电极设置在所述鳍型图案的一区域上，其中所述区域位于所述第一氧化物区和所述第二氧化物区之间；和第一源/漏极，设置在所述第一氧化物区上并与所述第一纳米线的端部分连接。
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