[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍型图案，从基板突起，其中所述鳍型图案在第一方向上延伸；

第一氧化物区和第二氧化物区，在所述鳍型图案的上部上，其中所述第一氧化物区和所述第二氧化物区彼此分离且分别具有凹入形状；

第一纳米线，在所述第一方向上延伸并与所述鳍型图案间隔开；

栅电极，围绕所述第一纳米线并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸，其中所述栅电极设置在所述鳍型图案的一区域上，其中所述区域位于所述第一氧化物区和所述第二氧化物区之间；

栅间隔物，形成在所述栅电极的侧壁上；

第一源/漏极，设置在所述第一氧化物区上并与所述第一纳米线的端部分连接；和

第二源/漏极，设置在所述第二氧化物区上并与所述第一纳米线的另一端部分连接，

其中所述第一氧化物区和所述第二氧化物区分别与所述栅间隔物的下表面直接接触。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二纳米线，设置在所述第一纳米线上并在所述第一方向上延伸，

其中所述第一纳米线插置在所述第二纳米线和所述鳍型图案的所述区域之间，和

其中所述栅电极围绕所述第二纳米线。

3.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一氧化物区包括：

与所述第一源/漏极交叠的第一区；和

与所述栅间隔物交叠的第二区。

4.如权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第一区比所述第二区厚。

5.如权利要求3所述的半导体器件，

其中所述第一氧化物区还包括：

与所述栅电极交叠的第三区，

其中所述第二区比所述第三区厚。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

设置在所述第一源/漏极上的层间绝缘层；和

设置在所述第一源/漏极和所述层间绝缘层中的接触，

其中所述接触的底表面低于所述第一纳米线的下表面。

7.如权利要求6所述的半导体器件，

其中所述接触与所述第一氧化物区直接接触。

8.如权利要求7所述的半导体器件，

其中所述接触的整个下表面与所述第一氧化物区接触。

9.如权利要求6所述的半导体器件，还包括：

设置在所述第一纳米线上的第二纳米线，其中所述第一纳米线插置在所述第二纳米线和所述鳍型图案的所述区域之间，其中所述第二纳米线在所述第一方向上延伸，其中所述栅电极围绕所述第二纳米线，以及

其中所述接触和所述第一纳米线之间的距离基本等于所述接触和所述第二纳米线之间的距离。

10.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一源/漏极与所述第一氧化物区交叠。

11.如权利要求10所述的半导体器件，

其中所述第一源/漏极与所述第一氧化物区完全交叠。

12.如权利要求10所述的半导体器件，

其中所述第一源/漏极包括：

彼此不同的第一区和第二区，所述第二区位于所述第一区和所述栅电极之间；

所述第一氧化物区与所述第二区交叠而不与所述第一区交叠。