[发明专利]BCD器件的制备方法在审
| 申请号： | 201610134703.2 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107180755A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陈定平;段久勇 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/265;H01L21/22;H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种BCD器件的制备方法，该方法包括在硅衬底上方进行垫氧处理，垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃；采用离子注入工艺，在硅衬底中注入离子；将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，推阱处理在氧气氛围中。减少注入离子时打伤硅衬底，并且在进行推阱处理时在氧气氛围中，有助于修复衬底损伤，从而减少了BCD器件在推阱处理后形成的衬底凹坑现象，提高了BCD器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | bcd 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种BCD器件的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上方进行垫氧处理，所述垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃；采用离子注入工艺，在所述硅衬底中注入离子；将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，所述推阱处理在氧气氛围中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
