[发明专利]BCD器件的制备方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件制备技术领域，尤其涉及一种BCD器件的制备方法。

背景技术

BCD工艺是一种单片集成工艺技术，这种技术能够在同一芯片上制备双极型晶体管(Bipolar)、CMOS管和DMOS器件，所以通过BCD工艺制备出来的器件为BCD器件。该BCD器件综合了双极器件的高跨导、强负载驱动能力和CMOS器件高集成度、低功耗的优点以及集成了DMOS功率器件。

在制备BCD器件过程中，在衬底有时会出现凹坑，出现衬底凹坑的原因很多，如等离子损伤、硅生长缺陷、硅衬底氮化等。其中有一种衬底凹坑的形成是由于BCD器件在进行推阱工艺时形成的。进行推阱工艺形成的衬底凹坑具有出现在固定区域，图形不规则的特点。

现有的推阱工艺在衬底形成凹坑，会影响BCD器件的性能，所以亟需一种推阱工艺造成衬底凹坑的解决方法。

发明内容

本发明实施例提供一种BCD器件的制备方法，减少了BCD器件在推阱处理后形成的衬底凹坑现象，提高了BCD器件的性能。

本发明实施例提供一种BCD器件的制备方法，包括：

在硅衬底上方进行垫氧处理，所述垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃；

采用离子注入工艺，在所述硅衬底中注入离子；

将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，所述推阱处理在氧气氛围中。

进一步地，如上所述的方法，所述在硅衬底上方进行垫氧处理，所述垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃之后，还包括：

对所述氧化层的厚度进行测量，使所述氧化层的厚度误差在50埃以内。

进一步地，如上所述的方法，所述采用离子注入工艺，在所述硅衬底中注入离子后，还包括：

依次采用SPM溶液，SC1溶液和SC2溶液对注入离子之后形成的图案表面进行清洗处理。

进一步地，如上所述的方法，所述将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，所述推阱处理在氧气氛围中具体包括：。

将所述BCD器件放入所述炉管中进行推阱处理，并在进行所述推阱处理的过程中向所述炉管中以10L/min的速度送入氧气。

进一步地，如上所述的方法，所述推阱处理包括升温阶段、温度保持阶段及降温阶段。

进一步地，如上所述的方法，所述推阱处理的温度保持阶段的时长为120分钟，保持的温度为1200摄氏度。

进一步地，如上所述的方法，所述垫氧处理的氧化层的厚度为1000埃。

进一步地，如上所述的方法，所述将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，所述推阱处理在氧气氛围中之后，还包括：

对所述氧化层进行剥离处理。

本发明实施例提供一种BCD器件的制备方法，通过在硅衬底上方进行垫氧处理，垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃；采用离子注入工艺，在硅衬底中注入离子；将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，推阱处理在氧气氛围中。减少注入离子时打伤硅衬底，并且在进行推阱处理时在氧气氛围中，有助于修复衬底损伤，从而减少了BCD器件在推阱处理后形成的衬底凹坑现象，提高了BCD器件的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下 面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明BCD器件的制备方法实施例一的流程图；

图2为本发明BCD器件的制备方法实施例二的流程图；

图3为本发明实施例二中进行推阱处理的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明BCD器件的制备方法实施例一的流程图，如图1所示，本实施例提供的BCD器件的制备方法包括以下步骤。

步骤101，在硅衬底上方进行垫氧处理，垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃。

本实施例中，BCD器件为在同一芯片上制备双极型晶体管(Bipolar)、CMOS管和DMOS器件的混合器件。