[发明专利]BCD器件的制备方法在审
| 申请号： | 201610134703.2 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107180755A | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陈定平;段久勇 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/265;H01L21/22;H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bcd 器件 制备 方法 | ||
1.一种BCD器件的制备方法，其特征在于，包括：
在硅衬底上方进行垫氧处理，所述垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃；
采用离子注入工艺，在所述硅衬底中注入离子；
将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，所述推阱处理在氧气氛围中。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底上方进行垫氧处理，所述垫氧处理的氧化层的厚度大于500埃之后，还包括：
对所述氧化层的厚度进行测量，使所述氧化层的厚度误差在50埃以内。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用离子注入工艺，在所述硅衬底中注入离子后，还包括：
依次采用SPM溶液，SC1溶液和SC2溶液对注入离子之后形成的图案表面进行清洗处理。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，所述推阱处理在氧气氛围中具体包括：。
将所述BCD器件放入所述炉管中进行推阱处理，并在进行所述推阱处理的过程中向所述炉管中以10L/min的速度送入氧气。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述推阱处理包括升温阶段、温度保持阶段及降温阶段。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述推阱处理的温度保持阶段的时长为120分钟，保持的温度为1200摄氏度。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述垫氧处理的氧化层的厚度为1000埃。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将BCD器件在炉管中进行推阱处理，以形成阱区，所述推阱处理在氧气氛围中之后，还包括：
对所述氧化层进行剥离处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
