[发明专利]半导体元件以及其制作方法有效
| 申请号： | 201610096054.1 | 申请日： | 2016-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN107104051B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;吴家荣;李怡慧;刘盈成;黄志森 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/768;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件以及其制作方法，其于形成了对应外延层的第一开孔之后再形成对应栅极结构的第二开孔，并第二开孔形成之后进行预先非晶化注入制作工艺以于外延层中形成非晶区，由此避免用以形成第二开孔的制作工艺影响到非晶区的状况。以本发明的制作方法形成的半导体元件包括接触结构设置与合金层。接触结构设置于第二开孔中以与金属栅极电连接，合金层设置于金属栅极上且设置于接触结构与金属栅极之间，且合金层包括金属栅极的材料的合金。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制作方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成一栅极结构；在该半导体基底中形成一外延层，其中该外延层与该栅极结构相邻；在该栅极结构以及该外延层上形成一层间介电层；形成一第一开孔，该第一开孔贯穿该层间介电层并暴露出至少部分的该外延层；形成一第二开孔，该第二开孔贯穿该层间介电层并暴露出至少部分的该栅极结构，其中该第二开孔在形成该第一开孔的该步骤之后形成；以及在形成该第一开孔与该第二开孔之后进行一预先非晶化注入(pre‑amorphization implantation,PAI)制作工艺，用以在该外延层中形成一非晶区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610096054.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管
- 下一篇：封装基板的线路制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
