[发明专利]半导体元件以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制作方法，包括：

提供一半导体基底；

在该半导体基底上形成一栅极结构；

在该半导体基底中形成一外延层，其中该外延层与该栅极结构相邻；

在该栅极结构以及该外延层上形成一层间介电层；

形成一第一开孔，该第一开孔贯穿该层间介电层并暴露出至少部分的该外延层；

形成一第二开孔，该第二开孔贯穿该层间介电层并暴露出至少部分的该栅极结构，其中该第二开孔在形成该第一开孔的该步骤之后形成；以及

在形成该第一开孔与该第二开孔之后进行一预先非晶化注入(pre-amorphizationimplantation,PAI)制作工艺，用以在该外延层中形成一非晶区。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，还包括：

在形成该第一开孔以及该第二开孔之后，在该外延层上形成一金属盖层；以及

在形成该金属盖层之后进行一热处理，用以在该外延层中形成一金属硅化物。

3.如权利要求2所述的半导体元件的制作方法，其中该金属盖层在该预先非晶化注入制作工艺之后形成，且该金属盖层直接接触该非晶区。

4.如权利要求2所述的半导体元件的制作方法，其中该金属盖层在该预先非晶化注入制作工艺之前形成，且在该预先非晶化注入制作工艺中该金属盖层覆盖至少部分的该外延层。

5.如权利要求2所述的半导体元件的制作方法，其中一合金层通过该预先非晶化注入制作工艺形成于该栅极结构上。

6.如权利要求5所述的半导体元件的制作方法，其中该金属盖层更形成于该第二开孔中，且该合金层被该金属盖层覆盖。

7.如权利要求6所述的半导体元件的制作方法，其中该金属盖层共形地(conformally)形成于该第一开孔的内表面上以及该第二开孔的内表面上。

8.如权利要求5所述的半导体元件的制作方法，其中该栅极结构包括金属栅极，且该合金层包括该金属栅极的材料以及该预先非晶化注入制作工艺的一掺质的合金。

9.如权利要求2所述的半导体元件的制作方法，其中该金属盖层包括钛(titanium)层，且该金属硅化物包括硅化钛。

10.如权利要求2所述的半导体元件的制作方法，还包括：

在形成该金属盖层的该步骤以及该预先非晶化注入制作工艺之后，在该第一开孔中形成一导电插塞，其中部分的该金属盖层位于该导电插塞以及该金属硅化物之间。

11.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该预先非晶化注入制作工艺包括一锗(germanium)注入制作工艺。

12.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该第一开孔与该第二开孔分别由不同的图案化制作工艺所形成。

13.一种半导体元件，包括：

半导体基底；

金属栅极，设置于该半导体基底上；

层间介电层，设置于该金属栅极上；

第二开孔，贯穿该金属栅极上的该层间介电层；

接触结构，设置于该第二开孔中，其中该接触结构与该金属栅极电连接；

合金层，设置于该金属栅极上，其中该合金层设置于该接触结构与该金属栅极之间，且该合金层包括该金属栅极的材料的合金，

间隙壁，设置于该半导体基底上且与该金属栅极相邻设置；以及

第一掺杂区，在一垂直方向上设置于该间隙壁上，其中该第一掺杂区在该垂直方向上设置于该间隙壁以及该接触结构之间。

14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该合金层包括该金属栅极的该材料与锗的合金。