[发明专利]像素结构、其制作方法与薄膜晶体管

摘要

一种像素结构，包含基板、栅极、通道层、第一绝缘层、源极、漏极与第二绝缘层。栅极设置于基板上。通道层设置于基板上。第一绝缘层设置于栅极与通道层之间。源极电性连接于通道层。漏极电性连接于通道层。第二绝缘层设置于垂直投影落于通道层内的源极与漏极的其中之一的一部分与栅极之间，其中垂直投影落于通道层内的源极与漏极的其中之一与栅极之间的垂直距离为第一距离，而垂直投影落于通道层内的源极与漏极的其中另一者与栅极之间的垂直距离为第二距离，其中第一距离至少包含第二绝缘层的厚度，且第一距离大于第二距离。

主权项

一种像素结构，包含：一基板；一栅极，设置于该基板上；一通道层，设置于该基板上；一第一绝缘层，设置于该栅极与该通道层之间；一源极，电性连接于该通道层；一漏极，电性连接于该通道层；以及一第二绝缘层，设置于垂直投影落于该通道层内的该源极与该漏极的其中之一的一部分与该栅极之间，其中垂直投影落于该通道层内的该源极与该漏极的其中之一的一部分与该栅极之间的垂直距离为一第一距离，而垂直投影落于该通道层内的该源极与该漏极的其中另一者的一部分与该栅极之间的垂直距离为一第二距离，其中该第一距离至少包含该第二绝缘层的厚度，且该第一距离大于该第二距离；该第二绝缘层设置于该第一绝缘层朝向该源极与该漏极的其中之一与朝向该通道层的表面上，且该第二绝缘层至该通道层的垂直投影落于该源极与该漏极的其中之一至该通道层的垂直投影内。