[发明专利]像素结构、其制作方法与薄膜晶体管

说明书

一种像素结构，包含基板、栅极、通道层、第一绝缘层、源极、漏极与第二绝缘层。栅极设置于基板上。通道层设置于基板上。第一绝缘层设置于栅极与通道层之间。源极电性连接于通道层。漏极电性连接于通道层。第二绝缘层设置于垂直投影落于通道层内的源极与漏极的其中之一的一部分与栅极之间，其中垂直投影落于通道层内的源极与漏极的其中之一与栅极之间的垂直距离为第一距离，而垂直投影落于通道层内的源极与漏极的其中另一者与栅极之间的垂直距离为第二距离，其中第一距离至少包含第二绝缘层的厚度，且第一距离大于第二距离。

【技术领域】

本发明是有关于一种像素结构、其制作方法与薄膜晶体管。

【背景技术】

家用电器设备的各式电子产品之中。其中，应用薄膜晶体管(thin filmtransistor；TFT)的液晶显示器已经被广泛地使用。薄膜晶体管式的液晶显示器主要是由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光阵列基板和液晶层所构成，其中，薄膜晶体管阵列基板上设置有多个以阵列排列的薄膜晶体管，以及，与每一个薄膜晶体管对应配置的像素电极(pixel electrode)，以构成像素结构。对于所设置的薄膜晶体管中，薄膜晶体管包含栅极、漏极、源极与通道层，以构成像素结构中的开关元件。

然而，于薄膜晶体管的结构之中，由于会有寄生电容产生于其中的问题，像素结构的效能将可能会受到此寄生电容的影响。进一步而言，当薄膜晶体管结构中有寄生电容产生时，液晶显示器的画面品质将可能会受影响，例如，寄生电容将可能造成液晶显示画面有亮暗不均的问题。

【发明内容】

本发明的一实施方式提供一种像素结构，于此像素结构中，可通过第二绝缘层的设置而降低源极与漏极的其中之一与栅极之间所产生的寄生电容，借以降低馈通电压与栅极负载，以使应用像素结构的显示面板可以有更佳的品质。

本发明的一实施方式提供一种像素结构，包含基板、栅极、通道层、第一绝缘层、源极、漏极与第二绝缘层。栅极设置于基板上。通道层设置于基板上。第一绝缘层设置于栅极与通道层之间。源极电性连接于通道层。漏极电性连接于通道层。第二绝缘层设置于垂直投影落于通道层内的源极与漏极的其中之一的一部分与栅极之间，其中，垂直投影落于通道层内的源极与漏极的其中之一的一部分与栅极之间的垂直距离为第一距离，而垂直投影落于通道层内的源极与漏极的其中另一者的一部分与栅极之间的垂直距离为第二距离，其中，第一距离至少包含第二绝缘层的厚度，且第一距离大于第二距离。

于部分实施方式中，通道层至栅极的垂直投影落于栅极之内。

于部分实施方式中，第一绝缘层覆盖栅极背向基板的表面，且第二绝缘层设置于垂直投影落于通道层内的源极与漏极的其中之一的一部分与部分通道层之间。

于部分实施方式中，第二绝缘层设置于部分漏极与部分通道层之间，且第二绝缘层的相对两表面分别被部分漏极与部分通道层完全覆盖。

于部分实施方式中，通道层、源极、漏极与第二绝缘层位于基板与第一绝缘层之间，且栅极设置于第一绝缘层背向基板的表面。

于部分实施方式中，像素结构更包含遮蔽层。遮蔽层位于基板与通道层之间，其中，通道层至遮蔽层的垂直投影落于遮蔽层之内。

于部分实施方式中，第二绝缘层设置于第一绝缘层朝向源极与漏极的其中之一与朝向通道层的表面上，且第二绝缘层至通道层的垂直投影落于源极与漏极的其中之一至通道层的垂直投影内。

于部分实施方式中，第二绝缘层设置于第一绝缘层背向源极与漏极的其中之一与背向通道层的表面上，且第二绝缘层至通道层的垂直投影落于源极与漏极的其中之一至通道层的垂直投影内。

于部分实施方式中，第二绝缘层的厚度为300纳米(nm)至400纳米(nm)。