[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，包括用于形成核心存储电路的第一区域；依次在衬底上形成栅电极膜和初始硬掩膜；采用第一刻蚀工艺，刻蚀初始硬掩膜，在第一区域形成贯穿初始硬掩膜的第一开口；在第一开口中填充牺牲层；采用第二刻蚀工艺，刻蚀牺牲层和第一开口底部的衬底，在第一区域衬底内形成第一沟槽；在第一沟槽内形成第一隔离结构。本发明先在第一区域形成贯穿初始硬掩膜的第一开口，再在第一开口中填充牺牲层，形成第一沟槽时，沿第一开口先刻蚀牺牲层再刻蚀衬底，因此可以获得深度较小的第一沟槽以降低第一沟槽的深宽比，避免在第一隔离结构内产生空隙，从而提高第一隔离结构的形成质量，进而提高半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，包括用于形成核心存储电路的第一区域和用于形成外围电路的第二区域；在所述衬底上形成栅电极膜；在所述栅电极膜表面形成初始硬掩膜；采用第一刻蚀工艺，刻蚀所述初始硬掩膜，形成硬掩膜并形成贯穿所述初始硬掩膜的开口，所述开口包括位于所述第一区域的第一开口，以及位于所述第二区域的第二开口，所述第一开口的线宽小于所述第二开口的线宽；在所述第一开口中填充牺牲层；采用第二刻蚀工艺，刻蚀所述牺牲层和所述第一开口底部的所述衬底，并沿所述第二开口刻蚀所述衬底，分别在所述第一区域衬底内形成第一沟槽、在所述第二区域衬底内形成第二沟槽，所述第一沟槽的深度小于所述第二沟槽的深度；在所述第一沟槽内形成第一隔离结构，在所述第二沟槽内形成第二隔离结构。