[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，包括用于形成核心存储电路的第一区域和用于形成外围电路 的第二区域；

在所述衬底上形成栅电极膜；

在所述栅电极膜表面形成初始硬掩膜；

采用第一刻蚀工艺，刻蚀所述初始硬掩膜，形成硬掩膜并形成贯穿所述 初始硬掩膜的开口，所述开口包括位于所述第一区域的第一开口，以及位于 所述第二区域的第二开口，所述第一开口的线宽小于所述第二开口的线宽；

在所述第一开口中填充牺牲层；

采用第二刻蚀工艺，刻蚀所述牺牲层和所述第一开口底部的所述衬底， 并沿所述第二开口刻蚀所述衬底，分别在所述第一区域衬底内形成第一沟槽、 在所述第二区域衬底内形成第二沟槽，所述第一沟槽的深度小于所述第二沟 槽的深度；

在所述第一沟槽内形成第一隔离结构，在所述第二沟槽内形成第二隔离 结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜的 材料为氮化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成贯穿所述 初始硬掩膜的开口的步骤中，所述第一刻蚀工艺还刻蚀去除部分所述栅电 极膜，形成的开口还位于所述栅电极膜的部分深度内；或者，所述第一刻 蚀工艺还刻蚀所述栅电极膜，形成的开口还贯穿所述栅电极膜。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的 材料为氧化硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的 厚度为至

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开 口中填充牺牲层的步骤中，所述牺牲层还覆盖于所述第二开口的侧壁表面 和底部表面；

所述形成方法还包括：在所述第二刻蚀工艺之前，去除所述第二开口内 的牺牲层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一开 口内填充牺牲层的工艺为化学气相沉积工艺。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽 的深度为至所述第二沟槽的深度为至

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀 工艺为等离子体干法刻蚀工艺；

所述等离子体干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体为CF₄和CH₂F₂， 刻蚀气体的气体流量为100sccm至110sccm，压强为10mtorr至15mtorr，刻 蚀功率为500W至600W，刻蚀时间为10s至14s。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀 工艺为等离子体干法刻蚀工艺；

所述等离子体干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体为HBr，刻蚀气 体的气体流量为100sccm至120sccm，压强为15mtorr至18mtorr，刻蚀功率 为550W至650W，刻蚀时间为60s至70s。