[发明专利]一种阵列基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制备方法，涉及显示技术领域，特别涉及阵列基板的制备方法，以解决现有技术在ITO薄膜图案化的过程中，在对ITO薄膜图案进行刻蚀时，ITO薄膜容易发生残留，从而影响液晶显示面板的显示特性的问题。本发明提供一种阵列基板的制备方法，在衬底基板上形成ITO薄膜图形的步骤包括：在ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；采用等离子处理工艺对裸露的ITO薄膜表面进行处理，使ITO薄膜表面析出金属In；对ITO薄膜进行刻蚀，以形成ITO图形。由于本发明在对ITO薄膜进行刻蚀之前，使ITO薄膜析出金属In，金属In刻蚀速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蚀速率，减少了ITO薄膜刻蚀的残留物。

主权项

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成铟锡氧化物ITO薄膜图形的步骤包括：在铟锡氧化物ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；采用等离子混合气体对裸露的所述铟锡氧化物ITO薄膜表面进行处理，使所述铟锡氧化物ITO薄膜发生雾化后表面析出金属铟In，金属铟In刻蚀速率高，加快铟锡氧化物ITO薄膜的刻蚀速率；对所述铟锡氧化物ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成铟锡氧化物ITO图形；其中，在铟锡氧化物ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案，包括：在衬底基板上依次形成所述铟锡氧化物ITO薄膜和金属层；在所述金属层上形成光刻胶层；利用半灰阶掩膜版，通过一次构图工艺形成所述光刻胶层的完全去除区，部分保留区和完全保留区；用等离子混合气体对裸露的所述铟锡氧化物ITO薄膜表面进行处理之前，还包括：对所述铟锡氧化物ITO薄膜表面上的金属层进行第一次刻蚀；在对所述铟锡氧化物ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成铟锡氧化物ITO图形后，还包括：灰化工艺去除所述部分保留区中的光刻胶，并减薄所述完全保留区中的光刻胶的厚度；对所述金属层进行第二次刻蚀以形成栅极图形。