[发明专利]一种阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成铟锡氧化物ITO薄膜图形的步骤包括：

在铟锡氧化物ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；

采用等离子混合气体对裸露的所述铟锡氧化物ITO薄膜表面进行处理，使所述铟锡氧化物ITO薄膜发生雾化后表面析出金属铟In，金属铟In刻蚀速率高，加快铟锡氧化物ITO薄膜的刻蚀速率；

对所述铟锡氧化物ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成铟锡氧化物ITO图形；

其中，在铟锡氧化物ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案，包括：

在衬底基板上依次形成所述铟锡氧化物ITO薄膜和金属层；

在所述金属层上形成光刻胶层；

利用半灰阶掩膜版，通过一次构图工艺形成所述光刻胶层的完全去除区，部分保留区和完全保留区；

用等离子混合气体对裸露的所述铟锡氧化物ITO薄膜表面进行处理之前，还包括：

对所述铟锡氧化物ITO薄膜表面上的金属层进行第一次刻蚀；

在对所述铟锡氧化物ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成铟锡氧化物ITO图形后，还包括：

灰化工艺去除所述部分保留区中的光刻胶，并减薄所述完全保留区中的光刻胶的厚度；

对所述金属层进行第二次刻蚀以形成栅极图形。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子混合气体包括：

氢气、氩气和氦气的等离子混合气体。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

用于生成所述等离子混合气体的氢气的流量为300～10000标况毫升/分钟，氩气的流量为300～10000标况毫升/分钟，氦气的流量为30～1000标况毫升/分钟。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，用等离子气体对所述铟锡氧化物ITO薄膜表面进行处理的条件为：

处理所述铟锡氧化物ITO薄膜表面时的温度为25度；

所述等离子混合气体的间距为900～1200密位，所述等离子混合气体的压力为100～3000毫托。