[发明专利]一种阵列基板的制备方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制备方法，涉及显示技术领域，特别涉及阵列基板的制备方法，以解决现有技术在ITO薄膜图案化的过程中，在对ITO薄膜图案进行刻蚀时，ITO薄膜容易发生残留，从而影响液晶显示面板的显示特性的问题。本发明提供一种阵列基板的制备方法，在衬底基板上形成ITO薄膜图形的步骤包括：在ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；采用等离子处理工艺对裸露的ITO薄膜表面进行处理，使ITO薄膜表面析出金属In；对ITO薄膜进行刻蚀，以形成ITO图形。由于本发明在对ITO薄膜进行刻蚀之前，使ITO薄膜析出金属In，金属In刻蚀速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蚀速率，减少了ITO薄膜刻蚀的残留物。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及阵列基板的制备方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS)通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平面方向(平行于基板)产生旋转转换，在增大视角的同时提高液晶层的透光效率。

ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物半导体)薄膜是液晶显示器中重要的组成部分，在液晶显示器面板的制备工艺中，多采用透明导电薄膜ITO来作为公共电极和像素电极来提高液晶面板的透过率。

如图1所示，现有技术中在ITO薄膜图案化的过程中，对在光刻胶图案下的ITO薄膜图案进行刻蚀，光刻胶两侧的ITO容易发生ITO残留，从而影响液晶显示面板的显示特性。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制备方法，用以解决现有技术中在ITO薄膜图案化的过程中，对在光刻胶图案下的ITO薄膜图案进行刻蚀时，光刻胶两侧的ITO薄膜容易发生残留，从而影响液晶显示面板的显示特性的问题。

本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，在衬底基板上形成ITO薄膜图形的步骤包括：

在铟锡氧化物半导体ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案；

采用等离子处理工艺对裸露的所述ITO薄膜表面进行处理，使所述ITO薄膜表面析出金属In；

对所述ITO薄膜进行刻蚀，以形成ITO图形。

由于本发明实施例在对ITO薄膜进行刻蚀之前，使ITO薄膜析出金属In，金属In刻蚀速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蚀速率，减少了ITO薄膜刻蚀的残留物。

可选的，在铟锡氧化物ITO薄膜上形成预定的光刻胶图案，包括：

在衬底基板上依次形成金属层和所述ITO薄膜；

在所述ITO薄膜上形成光刻胶层；

利用半灰阶掩膜版，通过一次构图工艺形成所述光刻胶层的完全去除区，部分保留区和完全保留区。

现有技术中采用一次灰阶掩膜工艺来同时制备公共电极和栅极时存在ITO tail较大的问题，即栅线下会有部分ITO向栅线两侧突出，从而导致相邻的两条栅线之间的距离不能太近以避免短路现象的发生，但是这样会造成阵列基板的开口率降低，增加整个显示面板的功耗。本发明实施例采用一次构图工艺可以改善液晶面板的长期信赖性，并且可以缩小阵列基板相邻电极之间的距离，从而提高显示面板的开口率，降低功耗。

可选的，在对所述ITO薄膜表面进行刻蚀，以形成ITO图形后，还包括：

灰化工艺去除所述部分保留区中的光刻胶，并减薄所述完全保留区中的光刻胶的厚度；

对所述金属层进行第二次刻蚀以形成栅极图形。