[发明专利]像素结构及其制备方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201610052345.0 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN105428245B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 万云海;杨成绍;韩领;宋博韬 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗瑞芝;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于显示技术领域,涉及像素结构及其制备方法、阵列基板和显示装置。该像素结构的制备方法包括形成绝缘层以及形成嵌于所述绝缘层的内部的金属层的步骤,包括:形成透明介质层,并采用背曝光工艺和剥离工艺对所述透明介质层进行处理,形成包括所述绝缘层的图形以及嵌于所述绝缘层的内部的所述金属层的图形;所述绝缘层中开设有用于嵌入所述金属层的槽孔,所述槽孔的形状与所述金属层的形状相适,且所述槽孔的面积等于所述金属层的面积、所述槽孔的深度等于所述金属层的厚度。该像素结构的制备方法结合了背曝光工艺和剥离工艺,能有效避免形成绝缘层以及形成嵌于绝缘层的内部的金属层时二者之间的段差,而且工艺简单,能有效提高生产效率。
搜索关键词: 像素 结构 及其 制备 方法 阵列 显示装置
【主权项】:
1.一种像素结构的制备方法,其特征在于,包括形成绝缘层以及形成嵌于所述绝缘层的内部的金属层的步骤,包括:形成透明介质层,并采用背曝光工艺和剥离工艺对所述透明介质层进行处理,形成包括所述绝缘层的图形以及嵌于所述绝缘层的内部的所述金属层的图形;其中,所述绝缘层中开设有用于嵌入所述金属层的槽孔,所述槽孔的形状与所述金属层的形状相适,且所述槽孔的面积等于所述金属层的面积、所述槽孔的深度等于所述金属层的厚度;其中,所述透明介质层为光刻胶层,所述绝缘层和所述金属层的制备方法包括步骤:依次形成绝缘薄膜层和所述光刻胶层;采用背曝光工艺去除所述光刻胶层对应着形成所述金属层的区域部分的光刻胶材料,形成介质沟槽;采用刻蚀工艺去除所述绝缘薄膜层对应着所述介质沟槽区域的绝缘材料,形成包括所述槽孔的所述绝缘层的图形,所述槽孔用于容置所述金属层;在所述光刻胶层远离所述绝缘薄膜层的一侧形成金属薄膜层;以及,采用剥离工艺去除所述光刻胶层以及与其接触的金属材料,保留所述槽孔以内的金属材料,形成嵌于所述绝缘层中的所述金属层。
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