[发明专利]像素结构及其制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明属于显示技术领域，涉及像素结构及其制备方法、阵列基板和显示装置。该像素结构的制备方法包括形成绝缘层以及形成嵌于所述绝缘层的内部的金属层的步骤，包括：形成透明介质层，并采用背曝光工艺和剥离工艺对所述透明介质层进行处理，形成包括所述绝缘层的图形以及嵌于所述绝缘层的内部的所述金属层的图形；所述绝缘层中开设有用于嵌入所述金属层的槽孔，所述槽孔的形状与所述金属层的形状相适，且所述槽孔的面积等于所述金属层的面积、所述槽孔的深度等于所述金属层的厚度。该像素结构的制备方法结合了背曝光工艺和剥离工艺，能有效避免形成绝缘层以及形成嵌于绝缘层的内部的金属层时二者之间的段差，而且工艺简单，能有效提高生产效率。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种像素结构及其制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)和OLED显示装置(Organic Light Emission Display，即有机电致发光)成为目前的主流显示装置。液晶显示装置是目前平板显示装置中应用最广泛的一种，其主要构成部件是液晶面板，液晶面板主要包括彩膜基板、阵列基板以及设置于二者之间的液晶。

阵列基板是LCD显示装置中的重要部分，其中包括薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)以及与薄膜晶体管相连的像素电极，通过控制薄膜晶体管的开闭来控制像素电极产生相应的电场，从而实现对液晶的驱动控制，实现图像显示。事实上，薄膜晶体管也是OLED显示装置中重要的控制元件。

如图1所示，薄膜晶体管通常包括依次设置的栅极4、栅极绝缘层2、有源层6、源极7A和漏极7B等层结构。在薄膜晶体管的制备过程中，由于栅极4的厚度(通常为左右)的原因，在栅极绝缘层2沉积在栅极4之上的时候，栅极4与栅极绝缘层2搭接处形成相对段差，使得栅极绝缘层2容易发生断裂，从而导致栅极4暴露造成不良。针对上述问题，目前常用的解决方式是，增加栅极绝缘层2的厚度预防断裂，但这种方式并不能从根本上解决上述问题，而且还可能造成工艺时间增长、进一步引发后续工艺问题的风险。

可见，提供一种制备工艺简单、结构可靠的像素结构成为目前显示领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种像素结构及其制备方法、阵列基板和显示装置，该像素结构的制备方法结合了背曝光工艺和剥离工艺，能有效避免形成绝缘层以及形成嵌于所述绝缘层的内部的金属层时二者之间的段差，而且工艺简单，能有效提高生产效率。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该像素结构的制备方法，包括形成绝缘层以及形成嵌于所述绝缘层的内部的金属层的步骤，包括：形成透明介质层，并采用背曝光工艺和剥离工艺对所述透明介质层进行处理，形成包括所述绝缘层的图形以及嵌于所述绝缘层的内部的所述金属层的图形；

其中，所述绝缘层中开设有用于嵌入所述金属层的槽孔，所述槽孔的形状与所述金属层的形状相适，且所述槽孔的面积等于所述金属层的面积、所述槽孔的深度等于所述金属层的厚度。

优选的是，所述透明介质层为光刻胶层，所述像素结构的制备方法具体包括步骤：

依次形成绝缘薄膜层和所述光刻胶层；

采用背曝光工艺去除所述光刻胶层对应着形成所述金属层的区域部分的光刻胶材料，形成介质沟槽；

采用刻蚀工艺去除所述绝缘薄膜层对应着所述介质沟槽区域的绝缘材料，形成包括所述槽孔的所述绝缘层的图形，所述槽孔用于容置所述金属层；

在所述光刻胶层远离所述绝缘薄膜层的一侧形成金属薄膜层；

以及，采用剥离工艺去除所述光刻胶层以及与其接触的所述金属材料，保留所述槽孔以内的金属材料，形成嵌于所述绝缘层中的所述金属层。