[发明专利]像素结构及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种像素结构的制备方法，其特征在于，包括形成绝缘层以及形成嵌于所述绝缘层的内部的金属层的步骤，包括：形成透明介质层，并采用背曝光工艺和剥离工艺对所述透明介质层进行处理，形成包括所述绝缘层的图形以及嵌于所述绝缘层的内部的所述金属层的图形；

其中，所述绝缘层中开设有用于嵌入所述金属层的槽孔，所述槽孔的形状与所述金属层的形状相适，且所述槽孔的面积等于所述金属层的面积、所述槽孔的深度等于所述金属层的厚度；

其中，所述透明介质层为光刻胶层，所述绝缘层和所述金属层的制备方法包括步骤：

依次形成绝缘薄膜层和所述光刻胶层；

采用背曝光工艺去除所述光刻胶层对应着形成所述金属层的区域部分的光刻胶材料，形成介质沟槽；

采用刻蚀工艺去除所述绝缘薄膜层对应着所述介质沟槽区域的绝缘材料，形成包括所述槽孔的所述绝缘层的图形，所述槽孔用于容置所述金属层；

在所述光刻胶层远离所述绝缘薄膜层的一侧形成金属薄膜层；

以及，采用剥离工艺去除所述光刻胶层以及与其接触的金属材料，保留所述槽孔以内的金属材料，形成嵌于所述绝缘层中的所述金属层。

2.根据权利要求1所述的像素结构的制备方法，其特征在于，在背曝光工艺中，所述绝缘薄膜层相对所述光刻胶层更靠近曝光光源；

以及，对于形成的所述介质沟槽，在垂直于所述绝缘层所在平面的方向，所述介质沟槽的截面形状为相对边不等长的四边形形状；且，在平行于所述绝缘层所在平面的方向，所述介质沟槽靠近所述绝缘层的面积大于其远离所述绝缘层的面积，所述介质沟槽远离所述绝缘层的面积大于等于所述金属层的面积。

3.根据权利要求2所述的像素结构的制备方法，其特征在于，在垂直于所述绝缘层所在平面的方向，所述介质沟槽的截面形状为梯形形状，其中：

在背曝光工艺中，采用普通掩模板，所述介质沟槽的截面形状形成两腰为直线的梯形形状；

或者，在背曝光工艺中，采用半透膜掩模板，所述介质沟槽的截面形状形成两腰为外凸的弧线的梯形形状。

4.根据权利要求2所述的像素结构的制备方法，其特征在于，所述曝光光源的中心对应着将形成所述介质沟槽的中心，在垂直于所述绝缘层所在平面的方向，所述介质沟槽的截面形状为两腰为直线的等腰梯形形状或两腰为外凸的弧线的等腰梯形形状。

5.根据权利要求1所述的像素结构的制备方法，其特征在于，所述像素结构包括底栅型薄膜晶体管，其中，所述绝缘层为栅极绝缘层，所述金属层为栅极层，所述栅极绝缘层的上方还依次设置有源层以及源漏极层。

6.根据权利要求5所述的像素结构的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层与所述有源层之间还设置有辅助栅极绝缘层，所述辅助栅极绝缘层采用与所述栅极绝缘层相同的材料形成、且完全覆盖于所述栅极绝缘层以及所述栅极层的上方。

7.根据权利要求1所述的像素结构的制备方法，其特征在于，所述像素结构包括薄膜晶体管以及位于所述薄膜晶体管下方的像素电极和钝化层，其中，所述绝缘层为所述钝化层，所述金属层为所述像素电极层。

8.根据权利要求1-7任一项所述的像素结构的制备方法，其特征在于，所述像素结构设置于基板的上方，所述基板为透明板状结构。

9.一种像素结构，其特征在于，包括绝缘层以及嵌于所述绝缘层的内部的金属层，所述绝缘层中开设有用于嵌入所述金属层的槽孔，所述槽孔的形状与所述金属层的形状相适，且所述槽孔的面积等于所述金属层的面积、所述槽孔的深度等于所述金属层的厚度，所述金属层由相同的材料形成；

其中，所述像素结构包括底栅型薄膜晶体管，其中，所述绝缘层为栅极绝缘层，所述金属层为栅极层，所述栅极绝缘层的上方还依次设置有源层以及源漏极层；

所述栅极绝缘层与所述有源层之间还设置有辅助栅极绝缘层，所述辅助栅极绝缘层采用与所述栅极绝缘层相同的材料形成、且完全覆盖所述栅极绝缘层以及所述栅极层的上方。