[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管单元及其制作方法

摘要

本发明提供了一种用于液晶显示模组的低温多晶硅薄膜晶体管单元及其的制作方法，该制作方法包括：在玻璃基板上形成SiNx层；在SiNx层上依次形成SiOx层和a‑Si层；用激光扫描a‑Si层，以去除a‑Si层中的氢；用准分子激光退火结晶a‑Si层，以形成多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极；在栅极上形成漏极绝缘层。该制作方法通过采用低能量激光扫描基板去除a‑Si层中的氢，以代替传统的高温热烘烤式去氢，如此可以保证缓冲层中SiNx层H的含量不受影响，进而在后续对多晶硅层进行氢化处理的步骤中，缓冲层中SiNx层的H和漏极绝缘层中的H同时作为补氢的氢源，这会使多晶硅层的补氢过程更加完全，补氢效果更好，提高TFT的电性能。

主权项

1.一种用于液晶显示模组的低温多晶硅薄膜晶体管单元的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在玻璃基板上形成SiNx层；在所述SiNx层上依次形成SiOx层和a-Si层；用激光扫描所述a-Si层，以去除所述a-Si层中的氢；用准分子激光退火结晶所述a-Si层，以形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极上形成漏极绝缘层，所述漏极绝缘层包括设于所述栅极外周的SiOx层以及设于所述SiOx层上的SiNx层；加热低温多晶硅薄膜晶体管单元，以对所述多晶硅层进行氢化处理，其中，所述漏极绝缘层中的SiNx层以及所述玻璃基板上的SiNx层同时作为氢化处理过程中氢的来源。