[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管单元及其制作方法在审
| 申请号： | 201610040587.8 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105632905A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李子健 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 袁江龙 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 单元 及其 制作方法 | ||
1.一种用于液晶显示模组的低温多晶硅薄膜晶体管单元的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在玻璃基板上形成SiNx层；
在所述SiNx层上依次形成SiOx层和a-Si层；
用激光扫描所述a-Si层，以去除所述a-Si层中的氢；
用准分子激光退火结晶所述a-Si层，以形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅极；
在所述栅极上形成漏极绝缘层，所述漏极绝缘层包括设于所述栅极外周的SiOx层以及设于所述SiOx层上的SiNx层；
加热低温多晶硅薄膜晶体管单元，以对所述多晶硅层进行氢化处理，其中，所述漏极绝缘层中的SiNx层以及所述玻璃基板上的SiNx层同时作为氢化处理过程中氢的来源。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在玻璃基板上形成SiNx层步骤具体为：采用等离子体增强化学气相沉积法在200～300℃温度下形成SiNx层。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述SiNx层上依次形成SiOx层和a-Si层的步骤是在400～500℃的温度环境下形成。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在用激光扫描所述a-Si层，以去除所述a-Si层中氢的步骤中，所采用激光的能量密度为200～300mJ/cm
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在用准分子激光退火结晶所述a-Si层，以形成多晶硅层的步骤中，所采用准分子激光的能量密度为380～480mJ/cm
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上形成栅极的方法为物理气相沉积法。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述栅极上形成漏极绝缘层的方式为等离子体增强化学气相沉积法。
8.一种用于液晶显示模组的低温多晶硅薄膜晶体管单元，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管单元采用权利要求1-7任一项所述的方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
