[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管单元及其制作方法

说明书

本发明提供了一种用于液晶显示模组的低温多晶硅薄膜晶体管单元及其的制作方法，该制作方法包括：在玻璃基板上形成SiNx层；在SiNx层上依次形成SiOx层和a‑Si层；用激光扫描a‑Si层，以去除a‑Si层中的氢；用准分子激光退火结晶a‑Si层，以形成多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极；在栅极上形成漏极绝缘层。该制作方法通过采用低能量激光扫描基板去除a‑Si层中的氢，以代替传统的高温热烘烤式去氢，如此可以保证缓冲层中SiNx层H的含量不受影响，进而在后续对多晶硅层进行氢化处理的步骤中，缓冲层中SiNx层的H和漏极绝缘层中的H同时作为补氢的氢源，这会使多晶硅层的补氢过程更加完全，补氢效果更好，提高TFT的电性能。

技术领域

本发明涉及液晶显示中薄膜晶体管的技术领域，具体是涉及一种用于液晶显示模组的低温多晶硅薄膜晶体管单元及其制作方法。

背景技术

在LTPS TFT(Low Temperature Poly-silicon，Thin Film Transistor,低温多晶硅薄膜晶体管)的制作过程中，为了使多晶硅层达到化学键饱和状态，进而钝化多晶硅层的内部缺陷，一般需要对多晶硅层进行补氢处理，在对多晶硅层进行补氢的过程中，需要让SiNx膜内的氢扩散到多晶硅膜层中。众所周知，SiNx的成膜温度越低，SiNx膜层内H含量高，一般后续制程受热温度不超过400℃时就不会明显影响到SiNx层中H含量。目前使用的补氢工艺采用的氢源膜层为漏极绝缘层(ILD)中的低温SiNx，由于氢源单一，因此，补氢效果较差。

发明内容

本发明实施例提供一种用于液晶显示模组的低温多晶硅薄膜晶体管单元及其制作方法，以解决现有技术中由于氢源单一而使补氢效果差，进而导致TFT电性不理想的技术问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种用于液晶显示模组的低温多晶硅薄膜晶体管单元的制作方法，所述制作方法包括：

在玻璃基板上形成SiNx层；

在所述SiNx层上依次形成SiOx层和a-Si层；

用激光扫描所述a-Si层，以去除所述a-Si层中的氢；

用准分子激光退火结晶所述a-Si层，以形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅极；

在所述栅极上形成漏极绝缘层。

根据本发明一优选实施例，在玻璃基板上形成SiNx层步骤具体为：采用等离子体增强化学气相沉积法在200～300℃温度下形成SiNx层。

根据本发明一优选实施例，在所述SiNx层上依次形成SiOx层和a-Si层的步骤是在400～500℃的温度环境下形成。

根据本发明一优选实施例，在用激光扫描所述a-Si层，以去除所述a-Si层中氢的步骤中，所采用激光的能量密度为200～300mJ/cm2。

根据本发明一优选实施例，在用准分子激光退火结晶所述a-Si层，以形成多晶硅层的步骤中，所采用准分子激光的能量密度为380～480mJ/cm2。

根据本发明一优选实施例，在所述栅极绝缘层上形成栅极的方法为物理气相沉积法。

根据本发明一优选实施例，所述漏极绝缘层包括设于所述栅极外周的SiOx层以及设于所述SiOx层上的SiNx层。

根据本发明一优选实施例，在所述栅极上形成漏极绝缘层的步骤之后还包括：加热低温多晶硅薄膜晶体管单元，以对所述多晶硅层进行氢化处理，其中，所述漏极绝缘层中的SiNx层以及所述玻璃基板上的SiNx层同时作为氢化处理过程中氢的来源。