[发明专利]一种磁感应LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610032273.3 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105576089B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 何苗;闫保彪;郑树文 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/52;H01L33/36 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁感应LED芯片及其制备方法，芯片包括发光结构，所述发光结构的侧面纵向环绕有透明的磁感应线圈。方法包括：在蓝宝石衬底上生长形成GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长形成n‑GaN发光层；在n‑GaN发光层上生长形成发光外延结构；将蓝宝石衬底和GaN缓冲层进行剥离；通过透明的磁感应线圈将n‑GaN发光层和发光外延结构的侧面进行纵向环绕。本发明通过采用透明的磁感应线圈将n‑GaN发光层和发光外延结构的侧面进行纵向环绕，能通过电磁感应取代传统的有线连接，从而利用感应电流激发LED发光，彻底抛弃了现有的焊接工艺，大大简化封装工艺流程，使封装更加方便快捷高效，有效节约生产成本。本发明可广泛用于半导体领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 感应 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁感应LED芯片，其特征在于：包括发光结构，所述发光结构的侧面纵向环绕有透明的磁感应线圈；所述发光结构包括n‑GaN发光层和形成在n‑GaN发光层上的发光外延结构；所述发光外延结构由上到下依次为p‑GaN层、p‑Al0.15Ga0.85N层、In0.06Ga0.94N层和n‑Al0.15Ga0.85N层，所述n‑Al0.15Ga0.85N层形成在n‑GaN发光层上。
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