[发明专利]一种磁感应LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610032273.3 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105576089B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 何苗;闫保彪;郑树文 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/52;H01L33/36 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 感应 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种磁感应LED芯片，其特征在于：包括发光结构，所述发光结构的侧面纵向环绕有透明的磁感应线圈；
所述发光结构包括n-GaN发光层和形成在n-GaN发光层上的发光外延结构；
所述发光外延结构由上到下依次为p-GaN层、p-Al0.15Ga0.85N层、In0.06Ga0.94N层和n-Al0.15Ga0.85N层，所述n-Al0.15Ga0.85N层形成在n-GaN发光层上。
2.根据权利要求1所述的一种磁感应LED芯片，其特征在于：所述磁感应线圈由导电材料和覆盖在导电材料表面的绝缘层组成。
3.根据权利要求1所述的一种磁感应LED芯片，其特征在于：所述发光外延结构呈倒梯形结构。
4.一种磁感应LED芯片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、在蓝宝石衬底上生长形成GaN缓冲层；
B、在GaN缓冲层上生长形成n-GaN发光层；
C、在n-GaN发光层上生长形成发光外延结构；
D、将蓝宝石衬底和GaN缓冲层进行剥离；
E、通过透明的磁感应线圈将n-GaN发光层和发光外延结构的侧面进行纵向环绕，得到磁感应LED芯片；
所述步骤C包括：
C1、在n-GaN发光层上外延生长形成n-Al0.15Ga0.85N层；
C2、在n-Al0.15Ga0.85N层上生长形成In0.06Ga0.94N层；
C3、在In0.06Ga0.94N层上生长形成p-Al0.15Ga0.85N层；
C4、在p-Al0.15Ga0.85N层上生长形成p-GaN层。
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