[发明专利]一种LDMOS器件有效
| 申请号： | 201610025460.9 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106972047B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张广胜;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件，涉及半导体技术领域。包括：衬底具有第一导电类型；第一漂移区位于衬底中具有第二导电类型；第一阱区位于衬底中与第一漂移区相邻且间隔，并具有第一导电类型；外延层位于衬底上，外延层包括具有第二导电类型的第二漂移区，以及分别位于第二漂移区两侧的具有第一导电类型的第二阱区和具有第二导电类型的掺杂区，第二阱区位于第一阱区上；第一埋层位于第一漂移区和第二漂移区中，具有所述第一导电类型。本发明的结构优化了源端的JFET区域增加了电流路径的宽度，得到高击穿电压的同时得到更低的导通电阻，并实现了多层RESURF结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：/n衬底，具有第一导电类型；/n第一漂移区，位于所述衬底中，具有第二导电类型；/n第一阱区，位于所述衬底中与所述第一漂移区相邻且间隔，具有第一导电类型；/n外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括具有第二导电类型的第二漂移区，以及分别位于所述第二漂移区两侧的具有第一导电类型的第二阱区和具有第二导电类型的掺杂区，所述第二阱区位于所述第一阱区上；/n第一埋层，位于所述第一漂移区和所述第二漂移区中，具有所述第一导电类型；/n第二埋层，位于所述第一阱区和所述第二阱区中，具有所述第一导电类型；其中，所述第二漂移区从所述第一阱区上延伸至所述第一漂移区上。/n
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