[发明专利]一种LDMOS器件有效
| 申请号： | 201610025460.9 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106972047B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张广胜;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 | ||
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：
衬底，具有第一导电类型；
第一漂移区，位于所述衬底中，具有第二导电类型；
第一阱区，位于所述衬底中与所述第一漂移区相邻且间隔，具有第一导电类型；
外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括具有第二导电类型的第二漂移区，以及分别位于所述第二漂移区两侧的具有第一导电类型的第二阱区和具有第二导电类型的掺杂区，所述第二阱区位于所述第一阱区上；
第一埋层，位于所述第一漂移区和所述第二漂移区中，具有所述第一导电类型；
第二埋层，位于所述第一阱区和所述第二阱区中，具有所述第一导电类型；其中，所述第二漂移区从所述第一阱区上延伸至所述第一漂移区上。
2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：
源极引出区和体引出区，相邻接并位于所述第二阱区内，且具有相反的导电类型；
漏极引出区，位于所述掺杂区内，具有第二导电类型；
场氧化层，位于所述第二漂移区上；
栅极结构，位于所述外延层上，且栅极结构的一侧边缘延伸至所述场氧化层上，以及栅极结构的另一侧边缘延伸至所述第二阱区上。
3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述间隔的长度为0。
5.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极结构的材料包括多晶硅。
6.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括分别与所述体引出区、源极引出区、漏极引出区和所述栅极结构相连接的接触，以及与所述接触相连接的互连金属层。
7.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第二漂移区为N型外延层。
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