[发明专利]一种LDMOS器件

说明书

本发明提供一种LDMOS器件，涉及半导体技术领域。包括：衬底具有第一导电类型；第一漂移区位于衬底中具有第二导电类型；第一阱区位于衬底中与第一漂移区相邻且间隔，并具有第一导电类型；外延层位于衬底上，外延层包括具有第二导电类型的第二漂移区，以及分别位于第二漂移区两侧的具有第一导电类型的第二阱区和具有第二导电类型的掺杂区，第二阱区位于第一阱区上；第一埋层位于第一漂移区和第二漂移区中，具有所述第一导电类型。本发明的结构优化了源端的JFET区域增加了电流路径的宽度，得到高击穿电压的同时得到更低的导通电阻，并实现了多层RESURF结构。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种LDMOS器件。

背景技术

横向双扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor，简称LDMOS)器件因其耐高压特性而被广泛应用于智能功率集成电路中。关态耐高压及导通电阻是表征LDMOS器件特性的重要指标，同时也是器件的工艺制造过程中所面临的一对矛盾。为了进一步提高器件特性及解决所面临的矛盾，人们引入了表面降场(RESURF＝Reduced Surface Field)型LDMOS器件的概念，并得到广泛应用。

图1示出了一种传统的三层RESURF LDMOS的剖面示意图。其包括：P型衬底101，以及位于P型衬底101中的P型深阱102和与P型深阱102相邻接的N型深阱104，位于所述P型衬底101上的N型外延107，形成于N型外延107一侧的P型深阱102上的P型阱区106，P型阱区106用于LDMOS的导通沟道。形成于N型外延107另一侧的N型深阱104上的N型掺杂区112。还包括形成于N型外延107和N型深阱104中的P型埋层105，以及形成于P型深阱和P型阱区中的P型埋层105。在外延层上还形成有源极/漏极引出区108、体引出区109和栅极引出113，以及与源极引出区和体引出区相连接的互连金属层110和与漏极引出区相连接的互连金属层111。

在上述传统的超高压三层RESURF LDMOS中，其主要是在漂移区的内部通过注入或者外延来形成一定结深的P型掺杂，从而实现对漂移区中P型杂质上下区域之间的耗尽，达到RESURF的目的。但是其结构存在一定的缺点：在源端会有一定长度的JFET区域，此区域如果宽度较小时，电流路径被限制，影响器件的导通电阻；如果次区域较大时，器件在反响耐压时由于漂移区中N型杂质较浓，从而无法耗尽。

因此，有必要提出一种新的LDMOS器件，以解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种LDMOS器件，包括：

衬底，具有第一导电类型；

第一漂移区，位于所述衬底中，具有第二导电类型；

第一阱区，位于所述衬底中与所述第一漂移区相邻且间隔，具有第一导电类型；

外延层，位于所述衬底上，所述外延层包括具有第二导电类型的第二漂移区，以及分别位于所述第二漂移区两侧的具有第一导电类型的第二阱区和具有第二导电类型的掺杂区，所述第二阱区位于所述第一阱区上；

第一埋层，位于所述第一漂移区和所述第二漂移区中，具有所述第一导电类型；

第二埋层，位于所述第一阱区和所述第二阱区中，具有所述第一导电类型。

进一步，还包括：

源极引出区和体引出区，相邻接并位于所述第二阱区内，且具有相反的导电类型；

漏极引出区，位于所述掺杂区内，具有第二导电类型；