[发明专利]薄膜晶体管结构的制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管结构的制造方法，其形成一光阻图案层于一有源图案层上及一部分的栅极绝缘层上以暴露出所述栅极绝缘层的一源极预定位置及一漏极预定位置。所述光阻图案层包含多个倒梯形块，并可作为一掩膜，以便沉积一金属层于光阻图案层、源极预定位置及漏极预定位置上；在移除光阻图案层及其上的金属层后，使剩余的金属层图案化成一源极及一漏极。本发明的薄膜晶体管结构的制造方法不但可简化制造过程，也不形成用来保护背沟道的蚀刻阻挡层。

主权项

一种薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管结构的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一栅极图案层于所述基板上；覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上；形成一有源图案层于所述栅极绝缘层上，其中所述有源图案层的位置对应于所述栅极图案层的位置；形成一光阻图案层于所述有源图案层上及一部分的所述栅极绝缘层上以暴露出所述栅极绝缘层的一源极预定位置及一漏极预定位置，其中所述光阻图案层包含多个倒梯形块；以所述光阻图案层作为一掩膜，沉积一金属层于所述光阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置上；及移除所述光阻图案层以同时移除位于所述光阻图案层上的金属层，以使所述金属层图案化成一源极及一漏极。