[发明专利]薄膜晶体管结构的制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构的制造方法，特别是有关于一种薄膜晶 体管结构的制造方法。

背景技术

在传统的氧化物半导体薄膜晶体管的制造过程中，例如氧化铟镓锌薄膜 晶体管(IGZOTFT)，为了在进行源极与漏极的蚀刻过程中保护背沟道不受蚀 刻损伤，通常会在氧化物半导体层上形成一个蚀刻阻挡层(etchingstoplayer； ESL)，从而增加了一次掩膜程序，增加薄膜晶体管制造过程的复杂度。另外， 蚀刻阻挡层除了限制沟道的长度之外，在具有更高分辨率的显示装置中难以 实行。再者，在传统薄膜晶体管的制造过程中，为了形成源极及漏极，需要 一次掩膜程序，增加薄膜晶体管制造过程的复杂度。

故，有必要提供一种薄膜晶体管结构的制造方法，以解决现有技术所存 在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管结构的制造方法，以解决现有技 术所存在的制造过程的高复杂度问题，以及使用蚀刻阻挡层所产生的问题。

本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管结构的制造方法，其可以简 化制造过程，并且不使用蚀刻阻挡层来形成源级及漏极。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种薄膜晶体管结构的 制造方法，包含步骤：提供一基板；形成一栅极图案层于所述基板上；覆盖 一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上；形成一有源图案层于所述栅 极绝缘层上，其中所述有源图案层的位置对应于所述栅极图案层的位置；形 成一光阻图案层于所述有源图案层上及一部分的所述栅极绝缘层上以暴露出 所述栅极绝缘层的一源极预定位置及一漏极预定位置，其中所述光阻图案层 包含多个倒梯形块；以所述光阻图案层作为一掩膜，沉积一金属层于所述光 阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置上；及移除所述光阻图案 层以同时移除位于所述光阻图案层上的金属层，以使所述金属层图案化成一 源极及一漏极。

在本发明的一实施例中，在所述移除所述光阻图案层的步骤之后，所述 方法更包含：覆盖一钝化层于所述源极、所述漏极、所述有源图案层及所述 栅极图案层上。

在本发明的一实施例中，在所述沉积所述金属层的步骤中，以所述光阻 图案层为一光掩膜，以溅镀方式形成所述金属层于所述光阻图案层、所述源 极预定位置及所述漏极预定位置上。

在本发明的一实施例中，所述栅极图案层的材质包含铝、钼或铜。

在本发明的一实施例中，所述栅极图案层是通过一光刻掩膜法形成。

在本发明的一实施例中，所述有源图案层是通过一光刻掩膜法形成。

在本发明的一实施例中，在所述覆盖所述栅极绝缘层于所述栅极图案层 及所述基板上的步骤中，以一物理气相沉积法形成所述栅极绝缘层。

在本发明的一实施例中，所述多个倒梯形块的每一个包含一下底面及一 上底面，其中所述下底面接触所述有源图案层或所述栅极绝缘层，及所述下 底面的面积小于所述上底面的面积。

在本发明的一实施例中，所述多个倒梯形块的每一个包含一左侧面及一 右侧面，分别从所述下底面的两侧延伸朝向并连接所述上底面的两侧，其中 所述左侧面与所述上底面之间的一第一夹角大于0度且小于90度；及所述右 侧面与所述上底面之间的一第二夹角大于0度且小于90度。

在本发明的一实施例中，所述第一夹角大于等于30度且小于90度；及 所述第二夹角大于等于30度且小于90度。

与现有技术相比较，本发明的薄膜晶体管结构的制造方法不但可简化制 造过程，也不形成用来保护背沟道的蚀刻阻挡层。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所 附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1是根据本发明实施例绘示一种薄膜晶体管结构的制造方法的流程 图。

图2A至2G是根据本发明实施例绘示一种薄膜晶体管结构的制造方法在 各个制作阶段中的剖面示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的 特定实施例。再者，本发明所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、 后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、 径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用 语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。