[发明专利]薄膜晶体管结构的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管结构的制 造方法包含步骤：

提供一基板；

形成一栅极图案层于所述基板上；

覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上；

形成一有源图案层于所述栅极绝缘层上，其中所述有源图案层的位置对应 于所述栅极图案层的位置；

形成一光阻图案层于所述有源图案层上及一部分的所述栅极绝缘层上以 暴露出所述栅极绝缘层的一源极预定位置及一漏极预定位置，其中所述光 阻图案层包含多个倒梯形块；

以所述光阻图案层作为一掩膜，沉积一金属层于所述光阻图案层、所述源 极预定位置及所述漏极预定位置上；及

移除所述光阻图案层以同时移除位于所述光阻图案层上的金属层，以使所 述金属层图案化成一源极及一漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：在所述移 除所述光阻图案层的步骤之后，更包含：覆盖一钝化层于所述源极、所述 漏极、所述有源图案层及所述栅极图案层上。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：在所述沉 积所述金属层的步骤中，以所述光阻图案层为一光掩膜，以溅镀方式形成 所述金属层于所述光阻图案层、所述源极预定位置及所述漏极预定位置 上。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述栅极 图案层的材质包含铝、钼或铜。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述栅极 图案层是通过一光刻掩膜法形成。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述有源 图案层是通过一光刻掩膜法形成。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：在所述覆 盖所述栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上的步骤中，以一物理气 相沉积法形成所述栅极绝缘层。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述多个 倒梯形块的每一个包含一下底面及一上底面，其中所述下底面接触所述有 源图案层或所述栅极绝缘层，及所述下底面的面积小于所述上底面的面 积。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述多个 倒梯形块的每一个包含一左侧面及一右侧面，分别从所述下底面的两侧延 伸朝向并连接所述上底面的两侧，其中所述左侧面与所述上底面之间的一 第一夹角大于0度且小于90度；及所述右侧面与所述上底面之间的一第 二夹角大于0度且小于90度。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征在于：所述第一 夹角大于等于30度且小于90度；及所述第二夹角大于等于30度且小于 90度。