[发明专利]通过自反应提高先位二硼化镁块材超导临界电流密度的方法有效
| 申请号： | 201610018799.6 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105541338B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 马宗青;彭俊明;刘永长;蔡奇;陈宁 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/64 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明通过自反应提高先位二硼化镁块材超导临界电流密度的方法；通过自反应提高先位二硼化镁块材超导临界电流密度的方法；通过先位法和两步烧结法，在烧结的高温阶段，超导块材内部的自反应加剧，形成并增加新的晶界，同时产生少量杂质MgB4；当处于低温时反应主要形成MgB2，杂质MgB4的含量减少，剩余的少量MgB4作为有效的磁通钉扎提高在高场下的临界电流密度。本发明技术操作简单，无需添加其他物质，简化了制备工艺，而且原料的来源也方便。能解决先位法引入钉扎困难的难题，并且通过控制烧结程序可以控制钉扎杂质的含量和颗粒的大小。通过控制温度来利用反应式可以有效解决较短时间烧结来提高晶间连接性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 反应 提高 先位二硼化镁块材 超导 临界 电流密度 方法 | ||
【主权项】：
一种通过自反应提高先位二硼化镁块材超导临界电流密度的方法；采用先位法制备MgB2块材，在烧成过程中：在烧成温度范围阶段，超导块材内部的自反应加剧，形成并增加新的晶界，同时产生杂质MgB4；在随后的冷却阶段，所述杂质MgB4的含量减少，MgB2含量增加，冷却结束后剩余的杂质MgB4作为有效的磁通钉扎提高二硼化镁在高场下的临界电流密度。
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