[发明专利]通过自反应提高先位二硼化镁块材超导临界电流密度的方法有效
| 申请号： | 201610018799.6 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105541338B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 马宗青;彭俊明;刘永长;蔡奇;陈宁 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/64 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 反应 提高 先位二硼化镁块材 超导 临界 电流密度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过自反应提高先位二硼化镁块材超导临界电流密度的方法；采用先位法制备MgB2块材，在烧成过程中：在烧成温度范围阶段，超导块材内部的自反应加剧，形成并增加新的晶界，同时产生杂质MgB4；在随后的冷却阶段，所述杂质MgB4的含量减少，MgB2含量增加，冷却结束后剩余的杂质MgB4作为有效的磁通钉扎提高二硼化镁在高场下的临界电流密度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征是取MgB2粉末制成圆柱形块材，然后将圆柱形块材放入高温差示扫描量热仪或者管式烧结炉进行氩气保护气氛烧结，升温速率10～40℃/min，升至850～1000℃后，在此温度保温烧结0～20min，然后以10～40℃/min的冷却速度降至500～700℃,保温0.5～5小时，然后以10～40℃/min的冷却速度降至室温得到烧结样品。
3.如权利要求2所述的方法，其特征是将圆柱形块材放入高温差示扫描量热仪或者管式烧结炉后，先抽真空，再充氩气，这个过程反复进行3～4次；在整个烧结过程中，保持氩气流通状态，直至烧结完后降温至室温。
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