[发明专利]高压晶体管

摘要

本发明公开一种高压晶体管，包括基底、具有第一导电类型的第一基体区以及具有互补于第一导电类型的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、第二基体区与第三掺杂区。第一基体区、第二掺杂区、第二基体区与第三掺杂区设置于基底中，且第一掺杂区设置于第一基体区中。第三掺杂区、第二基体区与第二掺杂区依序堆叠，且掺杂浓度依序递增。并且，第二基体区面对第一基体区的侧边与基底相接触。

主权项

一种高压晶体管，包括：基底；高压阱，设置于该基底中；第一基体区，设置于该高压阱中，其中该第一基体区具有一第一导电类型；第一掺杂区，设置于该第一基体区中，其中该第一掺杂区具有互补于该第一导电类型的一第二导电类型；第二掺杂区，设置于位于该第一基体区的一侧的该高压阱中，其中该第二掺杂区具有该第二导电类型，且该第二掺杂区具有一第一掺杂浓度；第二基体区，设置于位于该第二掺杂区下的该高压阱中，且该第二基体区与该第二掺杂区相接触，其中该第二基体区与该高压阱相接触，该第二基体区具有该第二导电类型，且该第二基体区具有一第二掺杂浓度，小于该第一掺杂浓度；以及第三掺杂区，设置于位于该第二基体区下的该高压阱，且该第三掺杂区与该第二基体区相接触，其中该第三掺杂区具有该第二导电类型，且该第三掺杂区具有一第三掺杂浓度，小于该第二掺杂浓度。