[发明专利]高压晶体管

权利要求书

1.一种高压晶体管，包括：

基底；

高压阱，设置于该基底中；

第一基体区，设置于该高压阱中，其中该第一基体区具有一第一导电类型；

第一掺杂区，设置于该第一基体区中，其中该第一掺杂区具有互补于该第一导电类型的一第二导电类型；

第二掺杂区，设置于位于该第一基体区的一侧的该高压阱中，其中该第二掺杂区具有该第二导电类型，且该第二掺杂区具有一第一掺杂浓度；

第二基体区，设置于位于该第二掺杂区下的该高压阱中，且该第二基体区与该第二掺杂区相接触，其中该第二基体区与该高压阱相接触，该第二基体区具有该第二导电类型，且该第二基体区具有一第二掺杂浓度，小于该第一掺杂浓度；以及

第三掺杂区，设置于位于该第二基体区下的该高压阱，且该第三掺杂区与该第二基体区相接触，其中该第三掺杂区具有该第二导电类型，且该第三掺杂区具有一第三掺杂浓度，小于该第二掺杂浓度，其中该第三掺杂区与该第二掺杂区相接触。

2.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该第二基体区具有一穿孔，且该第三掺杂区通过该穿孔与该第二掺杂区相接触。

3.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该第二基体区具有面对该第一基体区的第一侧边，该第三掺杂区延伸至位于该第二基体区相对于该第一侧边的一侧并与该第二掺杂区相接触。

4.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该第一掺杂浓度实质上为10¹⁹/cm³至10²⁰/cm³，该第二掺杂浓度实质上为4×10¹⁹/cm³至1×10¹⁸/cm³，且该第三掺杂浓度实质上为5×10¹⁶/cm³至8×10¹⁶/cm³。

5.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该高压阱具有该第二导电类型，且该高压阱具有一第四掺杂浓度，小于该第三掺杂浓度。

6.如权利要求5所述的高压晶体管，其中该第四掺杂浓度实质上为4×10¹⁵/cm³至1×10¹⁶/cm³。

7.如权利要求1所述的高压晶体管，另包括一高压深阱，设置于该高压阱中，且该高压深阱包覆该第一基体区，其中该高压深阱具有该第一导电类型。

8.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该高压阱具有该第一导电类型。

9.如权利要求1所述的高压晶体管，另包括一埋入层，设置于该基底中，其中该埋入层具有该第二导电类型，且该高压阱设置于该埋入层上。

10.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该第一导电类型为n型，且该第二导电类型为p型。

11.如权利要求1所述的高压晶体管，另包括一栅极结构，设置于位于该第二基体区与该第一掺杂区之间的该第一基体区与该高压阱上。

12.如权利要求11所述的高压晶体管，还包括一绝缘结构，设置于该栅极结构与该高压阱之间，且该绝缘结构将该栅极结构与该第二掺杂区分隔开。

13.如权利要求1所述的高压晶体管，还包括一掺杂接触区，设置于该第一掺杂区中，且该掺杂接触区具有该第二导电类型。

14.如权利要求1所述的高压晶体管，其中该第二掺杂区环绕该第一基体区。