[发明专利]一种半导体静态电流的测试器件及测试方法

摘要

本发明提供了一种半导体静态电流的测试器件及测试方法，测试方法包括：设置开关为打开状态时，向源极电压输入端、衬底电压输入端、栅极电压输入端和漏极电压输入端输入的输入电压，使第二MOS结构呈导通状态；根据输入电压，采集开关为打开状态时，第三连接线和第五连接线上的电流，获得第一电流总值；根据输入电压，采集开关为闭合状态时，第三连接线和第五连接线上的电流，获得第二电流总值；根据第一电流总值和第二电流总值，计算第一电流总值和第二电流总值的电流差值；根据电流差值，得出静态电流测试结果。本发明使得在对静态电流进行测量时，不用再受客户设计的限制，而是只针对工艺的波动，节省了时间成本。

主权项

1.一种半导体静态电流的测试器件，其特征在于，所述测试器件包括多个串联的测量结构，其中，所述测量结构包括：衬底，所述衬底上设置有多对成对设置的源极和漏极；栅极，每一成对设置的源极和漏极中间区域处的衬底表面设置有一个所述栅极，且每一所述栅极与所述成对设置的源极和漏极相接触，构成一金属‑氧化物‑半导体MOS结构；其中，每一MOS结构的源极均通过第一连接线与一源极电压输入端连接；多个MOS结构中，每一第一MOS结构的栅极与衬底均通过第二连接线与一衬底电压输入端连接，其中，第一MOS结构为两个；多个MOS结构中，每一第一MOS结构的漏极通过第三连接线相连接；多个MOS结构中，每一第二MOS结构的栅极通过第四连接线均与一栅极电压输入端连接，其中所述第二MOS结构为多个MOS结构中除所述第一MOS结构之外的MOS结构；多个MOS结构中，每一第二MOS结构的漏极通过第五连接线均与一漏极电压输入端连接，且所述第三连接线和所述第五连接线之间设置有一开关，当所述开关处于闭合状态时，所述第一MOS结构的漏极和所述第二MOS结构的漏极均与所述漏极电压输入端连接。