[发明专利]像素结构的制造方法

摘要

本发明提供一种像素结构的制造方法。该制造方法包括于基板上形成栅极及覆盖栅极的栅绝缘层。于栅绝缘层上形成信道层，信道层的材料包括第一金属氧化物半导体材料。于信道层的相对两侧上形成源极与漏极。于基板上形成覆盖源极、漏极及信道层的绝缘层，其具有暴露出漏极的开口。于基板上依序形成第一及第二透明电极材料层，其中第一透明电极材料层的材料包括第二金属氧化物半导体材料，第二透明电极材料层的材料包括金属氧化物导电材料。利用同一掩模图案化第一及第二透明电极材料层，以形成第一及第二透明电极层，其中第一透明电极层通过开口与漏极接触。本发明的制造方法所制得的像素结构具有良好的电性表现以及可靠度。

主权项

一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：于一基板上形成一栅极；于所述基板上形成一栅绝缘层，以覆盖所述栅极；于所述栅绝缘层上形成一信道层，其中所述信道层的材料包括第一金属氧化物半导体材料；于所述信道层的相对两侧上形成一源极与一漏极；于所述基板上形成一绝缘层，以覆盖所述源极、所述漏极及所述信道层，其中所述绝缘层具有一开口，所述开口暴露出所述漏极；于所述基板上依序形成一第一透明电极材料层及一第二透明电极材料层，其中所述第一透明电极材料层的材料包括第二金属氧化物半导体材料，所述第二透明电极材料层的材料包括金属氧化物导电材料，形成所述第一透明电极材料层的方法包括溅镀制程或涂布制程，形成所述第二透明电极材料层的方法包括溅镀制程，且其中利用溅镀制程形成所述第一透明电极材料层时，制程气体为氩气或氩气与氧气的混合气体；以及利用同一掩模图案化所述第一透明电极材料层及所述第二透明电极材料层，以形成一第一透明电极层及一第二透明电极层，其中所述第一透明电极层通过所述开口与所述漏极接触。