[发明专利]像素结构的制造方法

权利要求书

1.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一栅极；

于所述基板上形成一栅绝缘层，以覆盖所述栅极；

于所述栅绝缘层上形成一信道层，其中所述信道层的材料包括第一金属氧化物半导体材料；

于所述信道层的相对两侧上形成一源极与一漏极；

于所述基板上形成一绝缘层，以覆盖所述源极、所述漏极及所述信道层，其中所述绝缘层具有一开口，所述开口暴露出所述漏极；

于所述基板上依序形成一第一透明电极材料层及一第二透明电极材料层，其中所述第一透明电极材料层的材料包括第二金属氧化物半导体材料，所述第二透明电极材料层的材料包括金属氧化物导电材料，形成所述第一透明电极材料层的方法包括溅镀制程或涂布制程，形成所述第二透明电极材料层的方法包括溅镀制程，且其中利用溅镀制程形成所述第一透明电极材料层时，制程气体为氩气或氩气与氧气的混合气体；以及

利用同一掩模图案化所述第一透明电极材料层及所述第二透明电极材料层，以形成一第一透明电极层及一第二透明电极层，其中所述第一透明电极层通过所述开口与所述漏极接触。

2.根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，所述第一金属氧化物半导材料包括氧化铟镓锌或三氧化二铟。

3.根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，所述第二金属氧化物半导材料包括氧化铟镓锌或三氧化二铟。

4.根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物导电材料包括非晶型氧化铟锡。

5.根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，所述第一透明电极层及所述第二透明电极层具有相同图案。

6.根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，所述第一透明电极层与所述第二透明电极层直接接触。

7.根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，还包括对第二透明电极层进行结晶化制程。

8.根据权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度介于至之间，所述第一透明电极材料层的厚度介于至之间。