[发明专利]像素结构的制造方法

说明书

技术领域

本发明提供一种电子组件的制造方法，尤其涉及一种像素结构的制造方法。

背景技术

近年来，已有研究指出金属氧化物半导体材料具有高电子迁移率，故适合将其应用于像素结构中的薄膜晶体管作为信道层使用。在已知制造包括金属氧化物半导体薄膜晶体管的像素结构的方法中，通常是在基板上形成金属氧化物半导体薄膜晶体管后，才形成像素电极。一般而言，所述像素电极通常是选用溅镀法所形成的非晶型氧化铟锡，其中所使用的制程气体包括水或氢气。然而，对于金属氧化物半导体薄膜晶体管而言，进行非晶型氧化铟锡镀膜时使用的水或氢气会改变金属氧化物半导体材料层的特性，使得原本具有半导体特性的金属氧化物半导体材料层转成具导体特性的金属氧化物半导体材料层，进而造成薄膜晶体管的信道层的导通，并影响薄膜晶体管的电性表现以及可靠度。

发明内容

本发明提供一种像素结构的制造方法，其使得像素结构具有良好的电性表现以及可靠度。

本发明的像素结构的制造方法包括以下步骤。于基板上形成栅极。于基板上形成栅绝缘层，以覆盖栅极。于栅绝缘层上形成信道层，其中信道层的材料包括第一金属氧化物半导体材料。于信道层的相对两侧上形成源极与漏极。于基板上形成绝缘层，以覆盖源极、漏极及信道层，其中绝缘层具有暴露出漏极的开口。于基板上依序形成第一透明电极材料层及第二透明电极材料层，其中第一透明电极材料层的材料包括第二金属氧化物半导体材料，第二透明电极材料层的材料包括金属氧化物导电材料。利用同一掩模图案化第 一透明电极材料层及第二透明电极材料层，以形成第一透明电极层及第二透明电极层，其中第一透明电极层通过开口与漏极接触。

基于上述，在本发明的像素结构的制造方法中，通过在形成绝缘层之后，依序形成材料包括金属氧化物半导体材料的第一透明电极材料层及材料包括金属氧化物导电材料的第二透明电极材料层，藉此使得材料包括金属氧化物半导体材料的信道层不会受到水或氢气的影响而特性改变。如此一来，由本发明的像素结构的制造方法所制得的像素结构具有良好的电性表现以及可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1G是依照本发明一实施方式的像素结构的制造方法的剖面示意图。

附图标记：

10：像素结构

100：基板

102：绝缘层

104：第一透明电极材料层

106：第二透明电极材料层

108：第一透明电极层

110：第二透明电极层

CH：信道层

D：漏极

G：栅极

GI：栅绝缘层

OP：开口

PE：像素电极

S：源极

TFT：薄膜晶体管

具体实施方式

图1A至图1G是依照本发明一实施方式的像素结构的制造方法的剖面示意图。

首先，请参照图1A，提供基板100。就光学特性而言，基板100可为透光基板或不透光/反射基板。透光基板的材质可选自玻璃、石英、有机聚合物、其他适当材料或其组合。不透光/反射基板的材质可选自导电材料、金属、晶圆、陶瓷、其他适当材料或其组合。需说明的是，基板100若选用导电材料时，则需在基板100搭载构件之前，于基板100上形成一绝缘层(未显示)，以避免基板100与构件之间发生短路的问题。

接着，于基板100上形成栅极G。详细而言，在本实施方式中，形成栅极G的方法包括：于基板100上使用溅镀制程形成一栅极材料层(未显示)后，对所述栅极材料层进行第一道微影蚀刻制程，其中微影蚀刻制程包括光阻涂布(photo resist coat)、曝光(exposure)、显影(develop)、蚀刻(etch)、剥膜(strip)等步骤。另外，在本实施方式中，基于导电性的考虑，栅极G的材料为金属材料，所述金属材料例如是钼、铝、钛、上述金属的合金或是上述至少二者材料的堆栈层。然而，本发明不限于此。在其他实施方式中，栅极G亦可以使用其他导电材料(例如：金属氮化物、金属氧化物、金属氮氧化物等)或是金属与其它导电材料的堆栈层。