[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580082520.4 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN107924940B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 工藤智人;友松佳史;春口秀树;阿多保夫 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 第三伪沟槽(11)在衬底端部的伪单元区域与第一以及第二伪沟槽(9、10)正交。层间绝缘膜(13)使由第一以及第二伪沟槽(9、10)夹持的衬底中央部的伪单元区域的p型扩散层(3、4)与发射极电极(14)绝缘。第三伪沟槽(11)将衬底中央部的伪单元区域的p型扩散层(3、4)、和与发射极电极(14)连接的衬底端部的伪单元区域的p型扩散层(3、4、15)分离。p型阱层(15)在衬底端部设置为比第三伪沟槽(11)深。第三伪沟槽(11)与p型阱层(15)相比设置于衬底中央侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：n型衬底，其具有有源单元区域和伪单元区域；p型扩散层，其设置于所述n型衬底的上表面侧；n型发射极层，其在所述有源单元区域设置于所述p型扩散层之上的一部分；栅极沟槽，其在所述有源单元区域将所述p型扩散层和所述n型发射极层贯穿；第一以及第二伪沟槽，它们在所述伪单元区域将所述p型扩散层贯穿，是在俯视观察时与所述栅极沟槽平行地设置的；第三伪沟槽，其在衬底端部的所述伪单元区域将所述p型扩散层贯穿，与所述第一以及第二伪沟槽正交；发射极电极，其与所述n型发射极层、所述有源单元区域的所述p型扩散层、以及所述衬底端部的所述伪单元区域的所述p型扩散层连接；层间绝缘膜，其使由所述第一以及第二伪沟槽夹持的衬底中央部的所述伪单元区域的所述p型扩散层与所述发射极电极绝缘；p型集电极层，其设置于所述n型衬底的下表面侧；以及集电极电极，其与所述p型集电极层连接，所述第三伪沟槽将所述衬底中央部的所述伪单元区域的所述p型扩散层、和与所述发射极电极连接的所述衬底端部的所述伪单元区域的所述p型扩散层分离，所述p型扩散层在所述衬底端部具有比所述第三伪沟槽深地设置的p型阱层，所述第三伪沟槽与所述p型阱层相比设置于衬底中央侧。
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