[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

n型衬底，其具有有源单元区域和伪单元区域；

p型扩散层，其设置于所述n型衬底的上表面侧；

n型发射极层，其在所述有源单元区域设置于所述p型扩散层之上的一部分；

栅极沟槽，其在所述有源单元区域将所述p型扩散层和所述n型发射极层贯穿；

第一以及第二伪沟槽，它们在所述伪单元区域将所述p型扩散层贯穿，是在俯视观察时与所述栅极沟槽平行地设置的；

发射极电极，其与所述n型发射极层、所述有源单元区域的所述p型扩散层、以及衬底端部的所述伪单元区域的所述p型扩散层连接；

层间绝缘膜，其使由所述第一以及第二伪沟槽夹持的衬底中央部的所述p型扩散层与所述发射极电极绝缘；

p型集电极层，其设置于所述n型衬底的下表面侧；以及

集电极电极，其与所述p型集电极层连接，

所述p型集电极层具有第一p型集电极层和第二p型集电极层，其中，该第一p型集电极层设置于所述有源单元区域和所述衬底中央部的所述伪单元区域，该第二p型集电极层设置于所述衬底端部的所述伪单元区域，具有比所述第一p型集电极层高的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二p型集电极层具有朝向所述衬底中央部而杂质浓度逐渐降低的浮置构造。