[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580069954.0 | 申请日： | 2015-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN107112199B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 内海淳;后藤崇之;铃木毅典;井手健介 | 申请（专利权）人： | 三菱重工工作机械株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B23K20/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 赵晶;高培培 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，将接合电极(23、26)及绝缘层(22、25)分别在表面(17A、18A)露出的晶圆进行常温接合而形成所述半导体装置，其特征在于，在表面(17A、18A)之间具备接合中间层(30)，所述接合中间层(30)单独表现出非导电性并且与接合电极(23、26)结合而表现出导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备导电件及绝缘件分别在半导体基材的接合面露出的一对基板，将所述基板彼此进行常温接合，所述半导体装置的特征在于，在一对所述接合面之间具备接合中间层，所述接合中间层单独表现出非导电性并且与所述导电件结合而表现出导电性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
