[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置，将接合电极(23、26)及绝缘层(22、25)分别在表面(17A、18A)露出的晶圆进行常温接合而形成所述半导体装置，其特征在于，在表面(17A、18A)之间具备接合中间层(30)，所述接合中间层(30)单独表现出非导电性并且与接合电极(23、26)结合而表现出导电性。

技术领域

本发明涉及将多个基板接合而形成的半导体装置、及半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，关于半导体设备的高集成化，将同种或异种的半导体设备进行层叠化的三维集成化技术受到关注。在该三维集成化技术中，将电极、成为配线的导电件和绝缘件露出的基板的接合面彼此接合的技术变得重要。通常，作为两张基板的接合技术，已知有常温接合。常温接合是将接合的两张基板的接合面在真空气氛下进行活性化，通过将活性化后的接合面彼此进行压接而接合的技术。在常温接合中，不需要热处理，能够将接合材料(基板)彼此进行直接接合。因此，具有如下优点：能够抑制与热处理相伴的基板的膨胀等变形，在接合时，能够准确地进行两张基板的对准。

然而，在上述的常温接合中，虽然能够将作为导电件的金属类彼此直接接合，但是无法将作为绝缘件而通常使用的氧化膜、氮化膜等直接接合。因此，以往，提出了利用附着于接合面的极微量金属，能够将导电件与绝缘件同时接合(混合接合)的常温接合方法(例如，参照专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4162094号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在基板的接合面上形成有多个微细的导电件(电极)，因此在以往的接合方法中，由于附着于接合面的金属，在接近的导电件(电极)间会产生泄漏电流，担心设备的动作上的问题。

本发明鉴于上述情况而作出，其目的在于提供一种防止导电件间的泄漏电流的产生并能够将导电件与绝缘件同时接合的半导体装置、及半导体装置的制造方法。

用于解决课题的方案

为了解决上述的课题，实现目的，本发明涉及一种半导体装置，具备导电件及绝缘件分别在半导体基材的接合面露出的一对基板，将基板彼此进行常温接合，所述半导体装置的特征在于，在一对接合面之间具备接合中间层，所述接合中间层单独表现出非导电性并且与导电件结合而表现出导电性。

根据该结构，由于在一对接合面之间具备接合中间层，因此能够将导电件及绝缘件分别同时接合。此外，接合中间层单独表现出非导电性并且与导电件结合而表现出导电性，因此能够确保导电件间的导电性，并确保绝缘件间的非导电性。因此，能够防止导电件间的泄漏电流的产生，能够实现半导体装置的稳定的动作。

另外，基板的绝缘件彼此也可以经由接合中间层而接合。根据该结构，能够将绝缘件彼此牢固地接合。

另外，接合中间层也可以由非晶质半导体材料形成。根据该结构，通过对半导体材料进行蒸镀、溅射或化学气相生长，能够在基板的接合面上简单地形成具有单独表现出非导电性并且与导电件结合而表现出导电性的性质的接合中间层。

另外，也可以是，至少一方的基板的接合面处的绝缘件的高度位置形成得比导电件低。根据该结构，在将基板彼此压接时，该压接载荷作用于导电件，因此由于该导电件而接合中间层断裂。因此，通过将导电件彼此直接接合，在导电件间的接合中能够得到良好的电气特性及接合强度。