[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第一导电件及第一绝缘件分别在半导体基材的作为接合面的平坦表面露出的第一基板、第二导电件及第二绝缘件分别在半导体基材的作为接合面的平坦表面露出的第二基板、设置于所述第一基板的平坦表面与所述第二基板的平坦表面之间的接合中间层这三层，

所述接合中间层是通过常温接合而将所述第一导电件与所述第二导电件以及所述第一绝缘件与所述第二绝缘件同时接合的同一层，

作为所述同一层的所述接合中间层单独表现出非导电性并且与所述第一导电件和所述第二导电件结合而表现出导电性，作为所述同一层的所述接合中间层在该同一层中具备保持非导电性并且将所述第一基板的所述第一绝缘件与所述第二基板的所述第二绝缘件彼此接合的部分即绝缘接合部和将所述第一基板的所述第一导电件与所述第二基板的所述第二导电件彼此接合的部分即导电接合部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述接合中间层由非晶质半导体材料形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

至少一方的基板的所述接合面处的所述绝缘件的高度位置形成得比所述导电件低。

4.一种半导体装置的制造方法，是将导电件及绝缘件分别在半导体基材的接合面露出的一对基板彼此经由接合中间层进行常温接合而制造出的三层的半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法的特征在于，具备：

使所述基板的接合面分别活性化的工序；

在活性化后的所述接合面的至少一方形成单独表现出非导电性并且与所述导电件结合而表现出导电性的接合中间层的工序；及

经由所述接合中间层而将一对所述基板彼此在常温下压接的工序，

向半导体材料照射高速原子射束，使所述半导体材料溅射，由此在一方的所述基板的接合面形成了所述接合中间层，之后，向形成于该接合面的接合中间层照射高速原子射束，使形成该接合中间层的所述半导体材料的一部分溅射，由此在另一方的所述基板的接合面形成所述接合中间层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备在将一对所述基板压接之后将该基板以规定的温度进行加热的工序。

6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

至少一方的所述基板的所述接合面处的所述绝缘件的高度位置形成得比所述导电件低，所述接合中间层在将所述基板彼此压接时由于所述导电件而断裂，将该导电件彼此直接接合。

7.一种半导体装置的制造方法，是将导电件及绝缘件分别在半导体基材的接合面露出的一对基板彼此经由中间接合层进行常温接合而制造出的三层的半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法的特征在于，具备：

使所述基板的接合面分别活性化的工序；

在活性化后的所述接合面的至少一方形成在同一层中单独表现出非导电性并且与所述导电件结合而表现出导电性的接合中间层的工序；及

经由所述接合中间层而将一对所述基板彼此在常温下压接的工序，

在将接合面被活性化后的一对基板加热的状态下向该一对基板的接合面供给原料气体，通过在该一对基板的接合面的化学反应而形成所述接合中间层。

8.一种半导体装置的制造方法，是将导电件及绝缘件分别在半导体基材的接合面露出的一对基板彼此经由接合中间层进行常温接合而制造出的三层的半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法的特征在于，具备：

使所述基板的接合面分别活性化的工序；

在活性化后的所述接合面的至少一方形成在同一层中单独表现出非导电性并且与所述导电件结合而表现出导电性的接合中间层的工序；及

经由所述接合中间层而将一对所述基板彼此在常温下压接的工序，

对蒸镀材料进行加热，进行气化或升华，附着于放置在分离位置的一对基板的接合面而形成所述接合中间层。