[发明专利]用于基于箔的太阳能电池金属化的激光挡板层有效
申请号: | 201580066757.3 | 申请日: | 2015-12-07 |
公开(公告)号: | CN107258021B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 本杰明·伊恩·赫西亚;加布里埃尔·哈利;金泰锡;理查德·汉密尔顿·休厄尔;金成德 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0475;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述了基于箔的太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。例如,制造太阳能电池的方法涉及在基板中或基板上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域。所述方法还涉及在所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域的相邻者之间形成糊剂。所述方法还涉及固化所述糊剂以形成与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置对齐的非导电材料区域。所述方法还涉及将金属箔粘附至所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域。所述方法还涉及激光烧蚀穿过与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的所述位置对齐的所述金属箔,以隔离与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域对齐的剩余金属箔的区域。在所述激光烧蚀期间,所述非导电材料区域用作激光挡板。 | ||
搜索关键词: | 用于 基于 太阳能电池 金属化 激光 挡板 | ||
【主权项】:
1.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:在基板中或上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域;在所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域的相邻者之间形成糊剂;固化所述糊剂以形成与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置对齐的非导电材料区域;将金属箔粘附至所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域;以及激光烧蚀穿过与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的所述位置对齐的所述金属箔,以隔离与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域对齐的剩余金属箔的区域,其中所述非导电材料区域在所述激光烧蚀期间用作激光挡板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的