[发明专利]用于基于箔的太阳能电池金属化的激光挡板层

说明书

本发明描述了基于箔的太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。例如，制造太阳能电池的方法涉及在基板中或基板上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域。所述方法还涉及在所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域的相邻者之间形成糊剂。所述方法还涉及固化所述糊剂以形成与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置对齐的非导电材料区域。所述方法还涉及将金属箔粘附至所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域。所述方法还涉及激光烧蚀穿过与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的所述位置对齐的所述金属箔，以隔离与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域对齐的剩余金属箔的区域。在所述激光烧蚀期间，所述非导电材料区域用作激光挡板。

技术领域

本公开的实施例涉及可再生能源领域，具体地讲，包括基于箔的太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。

背景技术

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区域和n掺杂区域，从而在掺杂区域之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。

效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍所需的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。

附图说明

图1A至图1F示出了根据本公开的一个实施例采用基于箔的金属化的太阳能电池制造中各个阶段的剖视图，其中：

图1A示出了太阳能电池制造中在形成交替的N型半导体区域和P型半导体区域(发射极区域)之后的一个阶段，所述发射极区域在太阳能电池基板背表面的一部分上方形成；

图1B示出了在交替的N型半导体区域和P型半导体区域的相邻者之间形成糊剂之后的图1A的结构；

图1C示出了在固化糊剂以形成与交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置对齐的非导电材料区域之后的图1B的结构；

图1D示出了在任选地形成多个金属晶种材料区域以在交替的N型半导体区域和P型半导体区域中每一者上提供金属晶种材料区域的图1C的结构；

图1E示出了在将金属箔粘附至交替的N型半导体区域和P型半导体区域之后的图1D的结构；以及

图1F示出了在激光烧蚀穿过与交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置对齐的金属箔以隔离与交替的N型半导体区域和P型半导体区域对齐的剩余金属箔的区域的图1E的结构。

图2为根据本公开的实施例的流程图，所述流程图列出与图1A-1F相对应的制造太阳能电池的方法中的操作。

图3示出了根据本公开的另一个实施例的另一个具有基于箔的金属化的太阳能电池的剖视图。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作实例、例子或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其他实施是优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括提及“一个实施例”或“实施例”。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。