[发明专利]用于基于箔的太阳能电池金属化的激光挡板层有效
申请号: | 201580066757.3 | 申请日: | 2015-12-07 |
公开(公告)号: | CN107258021B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 本杰明·伊恩·赫西亚;加布里埃尔·哈利;金泰锡;理查德·汉密尔顿·休厄尔;金成德 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0475;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 基于 太阳能电池 金属化 激光 挡板 | ||
1.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:
在基板中或上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域;
在所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域的相邻者之间形成糊剂;
固化所述糊剂以形成与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置对齐的非导电材料区域;
将金属箔粘附至所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域;以及
激光烧蚀穿过与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的所述位置对齐的所述金属箔,以隔离与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域对齐的剩余金属箔的区域,其中所述非导电材料区域在所述激光烧蚀期间用作激光挡板。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域的相邻者之间形成所述糊剂包括丝网印刷所述糊剂。
3.根据权利要求1所述的方法,其中固化所述糊剂以形成所述非导电材料区域包括将所述糊剂加热至450摄氏度的温度或低于450摄氏度的温度、或暴露于紫外(UV)辐射、或既加热至450摄氏度的温度或低于450摄氏度的温度又暴露于紫外(UV)辐射。
4.根据权利要求1所述的方法,其中固化所述糊剂以形成所述非导电材料区域包括实质上移除所述糊剂的全部有机介质并且实质上保留所述糊剂的全部粘结剂和不透明颜料。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述粘结剂是无机粘结剂,并且其中固化所述糊剂以形成所述非导电材料区域包括将所述无机粘结剂转化为所述非导电材料区域的刚性无机基质。
6.根据权利要求1所述的方法,其中激光烧蚀穿过所述金属箔包括使用具有一定波长的激光,并且其中所述糊剂和所得非导电材料区域包含用于散射或吸收所述波长的光的不透明颜料。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在粘附所述金属箔之前,形成多个金属晶种材料区域,以在所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域中的每一个区域上提供金属晶种材料区域,其中将所述金属箔粘附至所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域包括将所述金属箔粘附至所述多个金属晶种材料区域。
8.根据权利要求7所述的方法,其中将所述金属箔粘附至所述多个金属晶种材料区域包括使用选自激光焊接工艺、热压缩工艺和超声波粘合工艺中的任一个的技术。
9.根据权利要求1所述的方法,其中将所述金属箔粘附至所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域包括将所述金属箔直接粘附至所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域的暴露部分并直接粘附至所述非导电材料区域。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述糊剂和所得非导电材料区域包括粘合剂,并且其中将所述金属箔直接粘附至所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域的所述暴露部分并直接粘附至所述非导电材料区域包括使用刮片将所述金属箔与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域的所述暴露部分以及所述非导电材料区域相配合。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述糊剂包括:
粘结剂;
不透明颜料;和
与所述粘结剂和所述不透明颜料混合的有机介质,其中所述糊剂的总重量组分的大于25%是所述不透明颜料,并且其中所述糊剂的所述总重量组分的小于50%是所述有机介质。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述不透明颜料选自氧化钛(TiO2)、硫酸钡(BaSO4)、硫化锌(ZnS)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、炭黑和碳纳米管中的任一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的