[发明专利]容错自动双列直插存储器模块刷新有效
| 申请号： | 201580064297.0 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107003919B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | S.贾亚库马尔;M.J.库马尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F11/14 | 分类号： | G06F11/14;G11C5/04;G11C5/14;G11C7/20;G06F11/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述容错自动DIMM(双列直插存储器模块)刷新或ADR的方法和设备。在一实施例中，处理器包括非易失性存储器以存储来自处理器的一个或多个易失性缓冲器的数据。来自处理器的一个或多个易失性缓冲器的数据响应要引起系统复位或关机的事件的发生而存储到非易失性存储器中。还公开并且要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 容错 自动 双列直插 存储器 模块 刷新 | ||
【主权项】：
暂无信息
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