[发明专利]用于深沟槽填充的多夹层结构

摘要

通过在衬底(102)中形成深沟槽(120)并在深沟槽(120)的侧壁(118)上形成介电内衬(116)来形成半导体器件(100)。第一未掺杂多晶硅层(122)在半导体器件(100)上形成，其延伸到介电内衬(116)上的深沟槽(120)中，但未填充深沟槽(120)。掺杂剂植入第一多晶硅层(122)中。第二多晶硅层(124)在第一多晶硅层(122)上形成。热驱动退火激活并使掺杂剂扩散。在一个版本中，在形成第一多晶硅层(122)之前，在深沟槽(120)的底部处移除介电内衬(116)，使得深沟槽(120)中的多晶硅(122)提供到衬底(102)的接触。在另一版本中，深沟槽(120)中的多晶硅(122)通过介电内衬(116)与衬底(102)隔离。

主权项

一种半导体器件，其包括：衬底，其包括半导体材料；以及所述衬底中的深沟槽结构，其包括：所述衬底中的至少10微米深的深沟槽；介电内衬，其设置于所述深沟槽的侧壁上；第一多晶硅层，其设置于所述介电内衬上并且延伸到所述深沟槽的底部；以及第二多晶硅层，其设置于所述第一多晶硅层上并且延伸到所述深沟槽中，其中掺杂剂以至少1×1018cm‑3的平均掺杂密度分布在整个所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层中，并且其中所述深沟槽结构的宽度是1.5微米至3.5微米。