[发明专利]抗腐蚀减量系统

摘要

本文披露的实施方式包括等离子体源以及用于减少半导体处理中产生的化合物的减量系统。在一个实施方式中，披露一种等离子体源。等离子体源包括具有入口和出口的主体，并且所述入口和所述出口流体耦接于所述主体内。所述主体进一步包括内表面，并且所述内表面以氧化钇或类金刚石碳涂覆。等离子体源进一步包括分流器和等离子体产生器，所述分流器设置于主体中的一位置，使得在入口与出口之间形成两个流动路径，等离子体产生器设置于一位置，从而可操作性地于分流器与主体的内表面之间的主体内形成等离子体。

主权项

一种等离子体源，包括：主体，所述主体包括入口和出口，其中所述入口与所述出口流体耦接于所述主体内，并且其中所述主体进一步包括内表面，并且所述内表面以氧化钇或类金刚石碳涂覆；分流器，所述分流器设置于所述主体内的一位置，使得在所述入口与所述出口之间形成两个流动路径；和等离子体产生器，所述等离子体产生器设置于一位置，从而可操作性地于所述分流器与所述主体的所述内表面之间的所述主体内形成等离子体。