[发明专利]抗腐蚀减量系统在审
| 申请号: | 201580055947.5 | 申请日: | 2015-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN107078079A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
| 发明(设计)人: | 戈文达·瑞泽;默尼卡·阿咖瓦;哈米德·毛希丁;卡泽拉·R·纳伦德瑞纳斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 腐蚀 系统 | ||
1.一种等离子体源,包括:
主体,所述主体包括入口和出口,其中所述入口与所述出口流体耦接于所述主体内,并且其中所述主体进一步包括内表面,并且所述内表面以氧化钇或类金刚石碳涂覆;
分流器,所述分流器设置于所述主体内的一位置,使得在所述入口与所述出口之间形成两个流动路径;和
等离子体产生器,所述等离子体产生器设置于一位置,从而可操作性地于所述分流器与所述主体的所述内表面之间的所述主体内形成等离子体。
2.如权利要求1所述的等离子体源,其中所述主体是球形并且由石英或氧化铝制成。
3.如权利要求1所述的等离子体源,其中所述等离子体产生器进一步包括:冷却套。
4.一种减量系统,包括:
前级管道,其中所述前级管道的内表面以氧化钇或类金刚石碳涂覆;和
等离子体源,所述等离子体源耦接至所述前级管道,其中所述等离子体源包括:
主体,所述主体包括流体耦接至出口的入口,其中所述主体进一步包括内表面,并且所述内表面以氧化钇或类金刚石碳涂覆;和
分流器,所述分流器设置于所述主体内的一位置,使得在所述入口与所述出口之间形成两个流动路径。
5.如权利要求4所述的减量系统,其中所述等离子体源的所述主体由石英或氧化铝制成。
6.如权利要求4所述的减量系统,进一步包括:
等离子体产生器,所述等离子体产生器设置于一位置,从而可操作性地于所述主体内形成等离子体;和
冷却套,所述冷却套被配置成调节所述等离子体产生器的温度。
7.如权利要求4所述的减量系统,进一步包括形成于所述前级管道中的注入口。
8.如权利要求4所述的减量系统,其中所述前级管道附接至真空处理腔室。
9.如权利要求4所述的减量系统,其中所述主体包括实质球形的内表面。
10.一种等离子体源,包括:
主体,所述主体包括入口和出口;
RF线圈,所述RF线圈环绕所述主体;和
沟道,所述沟道形成于所述主体内并且将所述入口与所述出口流体耦接,其中所述沟道的内表面以氧化钇、类金刚石碳或氧化铝硅镁钇涂覆。
11.如权利要求10所述的等离子体源,其中所述主体是球形并且由石英或氧化铝制成。
12.如权利要求10所述的等离子体源,其中所述主体是中空的。
13.如权利要求10所述的等离子体源,其中所述主体是单块的材料。
14.如权利要求10所述的等离子体源,其中所述沟道包括迂曲部分。
15.如权利要求10所述的等离子体源,其中所述沟道包括多个平行通道和连接邻近通道的至少两个子沟道。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





