[发明专利]抗腐蚀减量系统

说明书

技术领域

本公开内容的实施方式大体涉及半导体处理装备。更具体地，本公开内容的实施方式涉及等离子体源和用于减少半导体处理中产生的化合物的减量系统(abatement system)。

背景技术

半导体处理设施所用的处理气体包括许多因法规要求及环境与安全考量而在弃置前必须减少或处理的化合物。一般来说，减量系统可耦接至处理腔室以减少离开处理腔室的化合物。减量系统通常包括至少一个等离子体源。含卤素等离子体和气体频繁地用于蚀刻或清洁处理中，且处理腔室和减量系统的部件容易受到含卤素等离子体和气体的腐蚀。此腐蚀减少处理腔室部件和减量系统的使用期限，此外，引入不需要的缺陷和污染至处理环境中。

因此，改良的等离子体源及用于减少半导体处理中产生的化合物的减量系统是所属技术领域中所需的。

发明内容

本发明披露的实施方式包括等离子体源和用于减少半导体处理中产生的化合物的减量系统。在一个实施方式中，披露了一种等离子体源。所述等离子体源包括具有入口和出口的主体，且所述入口与所述出口流体耦接于主体内。所述主体进一步包括内表面，且所述内表面以氧化钇或类金刚石碳涂覆。等离子体源进一步包括分流器和等离子体产生器，分流器设置于主体内的一位置，使得于入口与出口之间形成两个流动路径，等离子体产生器设置于一位置，从而可操作性地于分流器与主体的内表面之间的主体内形成等离子体。

在另一个实施方式中，减量系统包括前级管道(foreline)，且前级管道的内表面以氧化钇或类金刚石碳涂覆。减量系统进一步包括与前级管道耦接的等离子体源，并且等离子体源包括主体，所述主体具有流体耦接至出口的入口。所述主体进一步包括内表面，并且所述内表面以氧化钇或类金刚石碳涂覆。等离子体源进一步包括分流器，分流器设置于主体内的一位置，使得于入口与出口之间形成两个流动路径。

在另一个实施方式中，等离子体源包括具有入口和出口的主体、环绕主体的RF线圈和沟道(channel)，所述沟道形成于主体中并且将入口与出口流体耦接。沟道的内表面以氧化钇、类金刚石碳或氧化铝硅镁钇(aluminum oxide silicon magnesium yttrium)涂覆。

附图说明

可以通过参照实施方式(一些实施方式描绘于附图中)来详细理解本公开内容的上述特征以及以上简要概述的有关本公开内容更具体的描述。然而，值得注意的是，附图只图示了本公开内容的典型实施方式，由于本公开内容可允许其他等效的实施方式，因此附图并不被视为对本发明范围的限制。

图1是具有等离子体源的真空处理系统的示意性侧视图。

图2是图1的等离子体源的截面图。

图3是等离子体源的截面透视图。

图4A-4D示意性地图示等离子体源。

为便于理解，在可能的情况下，使用相同的附图标记代表各图中相同的元件。可以预期，一个实施方式中的元件和特征可有利地并入其它实施方式中而无需进一步详述。

具体实施方式

本发明披露的实施方式包括等离子体源和用于减少半导体处理中产生的化合物的减量系统。于半导体处理中产生的化合物可能是腐蚀性的且可能损坏减量系统的部件，诸如等离子体源。为了延长减量系统的使用期限，减量系统的部件的内表面(诸如等离子体源的内表面)，可由抗腐蚀的氧化钇或类金刚石碳涂覆。等离子体源可具有球形主体以增加涂覆工艺的效率和扩散。

图1是具有用于减量系统104中的等离子体源102的真空处理系统100的示意性侧视图。减量系统104至少包括所述等离子体源102。真空处理系统100包括真空处理腔室106，真空处理腔室106一般被配置成执行至少一个集成电路制造工艺，诸如沉积工艺、蚀刻工艺、等离子体处理工艺、预清洁工艺、离子注入工艺，或其他集成电路制造工艺。于真空处理腔室106中执行的工艺可由等离子体协助。例如，于真空处理腔室106中执行的工艺可以是等离子体蚀刻工艺。

真空处理腔室106具有腔室排气口108，腔室排气口108经由前级管道110耦接至减量系统104的等离子体源102。等离子体源102的排气通过排气导管112耦接至泵和排气设施(facility exhaust)，由图1中的单个附图标记114示意性地表示。泵一般用于抽空真空处理腔室106，而排气设施一般包括洗涤器(scrubber)或用于准备真空处理腔室106的流出物(effluent)进入大气的其他排气清洁设备。