[发明专利]静电卡盘装置有效
| 申请号： | 201580055847.2 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106796914B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 伊藤智海;三浦幸夫 | 申请（专利权）人： | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 盛曼;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的静电卡盘装置(80)依次具备以一个主面作为载置板状试样的载置面并且内置有静电吸附用内部电极的静电卡盘部(2)、第一胶粘层(4)、片材(6)、第二胶粘层(8)和将静电卡盘部(2)调节至期望的温度的温度调节用基部(10)，第一胶粘层(4)包含层厚为1nm～500nm的接合层(14)和厚度为2μm～30μm的有机硅胶粘剂层(24)，第二胶粘层(8)包含层厚为1nm～500nm的接合层(18)和厚度为2μm～30μm的有机硅胶粘剂层(28)。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 装置 | ||
【主权项】：
一种静电卡盘装置，其中，依次具备以一个主面作为载置板状试样的载置面并且内置有静电吸附用内部电极的静电卡盘部、第一胶粘层、片材、第二胶粘层和将所述静电卡盘部调节至期望的温度的温度调节用基部，所述第一胶粘层包含层厚为1nm～500nm的接合层和厚度为2μm～30μm的有机硅胶粘剂层，所述第二胶粘层包含层厚为1nm～500nm的接合层和厚度为2μm～30μm的有机硅胶粘剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
